IBM推出3D晶体管新平台，性能与能效大幅提升

IBM研究院全球总监Jay Gambetta（图中）与IBM研究院半导体全球研发副总裁Huiming Bu（图右）接受媒体联访。图源：IBM

据IBM官方消息，该公司于6月25日正式推出了全新的3D Nanostack晶体管平台。据IBM透露，这一具备高度灵活性的新平台未来可广泛应用于中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、移动端芯片以及静态随机存取存储器（SRAM）等各类半导体器件，并能够针对特定应用场景提供高度定制化的设计方案。

在性能与功耗表现方面，据IBM估算，与当前最先进的2纳米工艺芯片相比，Nanostack平台能够实现约50%的性能增长，同时能源效率改善幅度高达70%。IBM指出，当前人工智能运算面临极高的能耗挑战，能效已成为制约AI发展的关键瓶颈。如果将功耗管理置于优先地位，该技术最多可将功耗降低70%，从而有效缓解AI基础设施的电力成本压力。

针对存储架构的优化，IBM表示，Nanostack在SRAM方面实现了约40%的尺寸缩减与密度提升，这是过去十多年来芯片设计领域罕见的重大突破。在高性能计算（HPC）场景中，缓存容量的扩充一直是个难题。SRAM密度的显著增加为将其作为高速缓存应用提供了新契机。IBM预期，未来将与更多芯片设计专家合作，共同探索如何重构AI芯片的缓存架构、存储层级以及数据传输效率，进而推动规模更大、效率更高的AI加速器发展。

展望未来，IBM认为Nanostack平台将在未来十年内逐步替代现有的纳米片（Nanosheet）架构，成为领先芯片代工厂的新一代主流技术。无论是CPU还是GPU，都将在7埃米时代开始向Nanostack架构过渡。