三星推出UFS 5.0，端侧AI存储规格战打响

据韩媒ET News及三星官方消息，三星电子已率先研发出业界首款UFS 5.0移动存储解决方案。该产品基于第九代3D NAND技术打造，最高支持1TB容量。在性能方面，其顺序读取和写入速度分别高达10.8 GB/s和9.5 GB/s，较现有的UFS 4.1提升逾两倍。三星计划于2026年第四季度启动量产，预计将率先应用于2027年发布的Galaxy S27等下一代旗舰智能设备。

随着端侧人工智能（On-device AI）的发展，大型语言模型、实时翻译及多模态功能逐渐在智能手机、扩展现实（XR）头显及可穿戴设备上运行。与依赖数据中心算力的云端AI不同，端侧设备需在有限的空间、功耗和散热条件下进行模型推理。因此，移动存储不再仅承担数据保存功能，其带宽、延迟和功耗水平直接影响AI应用的响应速度与流畅度。UFS、LPDDR等移动存储产品正成为支撑端侧AI普及的关键元器件。

为应对AI运算带来的功耗与发热挑战，UFS 5.0的电源效率较前代提升40%以上。三星引入了时钟门控（clock gating）技术以切断闲置电路的信号，并结合多电压（multi-voltage）技术为不同电路模块分配最佳电压，从而有效降低能耗。此外，新产品的封装尺寸缩减至7.5mm×13mm×0.9mm，体积较上一代缩小16.7%，有助于为终端设备内部的电池、传感器及散热模块腾出更多物理空间。