AI引爆电源架构革命,功率半导体供不应求
来源:万德丰发布时间:2026-06-23607浏览
询问 AI据业界消息,人工智能技术的普及不仅促进了散热与电源管理技术的迭代,还引发了电压调节模块(VRM)架构的重大变革。当前,不断变化的工作负载正促使行业从传统的相位倍增器(Doubler)方案,向原生多相独立控制(Native Multi-Phase)架构转型。
据芯片行业专家介绍,在以往的常规设计中,供电系统多采用单一脉冲宽度调制(PWM)信号进行控制,随后通过倍相器将电能分配给中央处理器等核心部件。然而,AI设备在应对瞬时负载变化时,对电压的稳定性与精确度提出了极高标准,难以容忍输电延迟及电压波动。因此,采用直接多相独立控制的新方案,相当于为各处理器构建了专用的独立供电通道,从而保障每颗芯片都能获得精准且稳定的电压。
业内人士指出,这种多相独立电压分配架构的演进,显著拉动了功率器件与电源管理芯片的市场需求。具体而言,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的应用方式将转变为多颗低功率器件并联分担,同时MOSFET与驱动芯片(Driver)的集成化需求也会大幅上升。另外,针对AI服务器突出的供电与散热挑战,为降低传输损耗并保障供电平稳,垂直供电技术正得到积极推广,这也催生了半导体器件布局与封装设计的创新趋势。
据业内人士分析,功率器件供应短缺现象加剧主要归结于三个因素:一是过去三年间,主要芯片制造商与代工厂的库存调整致使当前库存水平偏低;二是AI相关应用需求呈现爆发式增长;三是受地缘政治因素干扰,供应链“去中国化”趋势日益明显。受AI热潮驱动,功率半导体的交货周期普遍拉长,部分器件的交期甚至超过六至九个月。叠加原材料成本上升及国际头部企业相继提价,相关产品价格持续攀升,市场供应趋于紧张。
据IC分销商透露,电容、电感及保护器件等被动元器件以往因产值规模小且利润率偏低,致使众多厂商缺乏投资意愿,部分企业甚至关停产线退出该领域。近期,在供给端产能缩减与需求端结构性激增的双重作用下,市场缺口进一步扩大。由于产能扩充周期较长,当前此类元器件仍处于供不应求的状态。
德微科技董事长张恩杰此前表示,AI服务器与AI个人电脑等终端设备对元器件的性能指标要求极为苛刻。如今,客户在采购时不再单纯追求低价,而是更加关注产品的可靠性与低故障率。功率器件在系统中的地位已发生根本性转变,从以往的辅助性边缘角色跃升为核心关键部件,采购标准也从“勉强可用”全面升级为“质量优先”。
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