三星将首发5纳米MRAM技术，台积电加速追赶

据韩国媒体《首尔经济》援引业界人士的消息，三星电子在磁性随机存储器（MRAM）领域的研发步伐正在显著加快。三星半导体与设备解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫带领的研发团队，预计将在VLSI研讨会上展示全球首个5纳米工艺节点的MRAM研究成果。在率先发布8纳米MRAM技术仅四个月后，该公司便已掌握了更为先进的5纳米核心工艺。

作为一种依靠电子磁性来保存数据的新型存储技术，MRAM不仅具备与DRAM相当的高速运行能力，还能在断电情况下维持数据不丢失，从而有效减少功耗和发热现象。凭借出色的电源效率和耐用性，该技术在汽车存储市场中备受青睐。

在量产进程方面，三星电子先后于2018年和2024年实现了28纳米与14纳米MRAM的量产，并在今年2月的国际学术会议上首次公开了目前业内最先进的8纳米MRAM。据悉，三星现已完成5纳米MRAM的研发工作，成功构建了芯片最小单位的存储单元。该技术已通过性能验证，能够承受零下40°C至150°C的极端温度考验，充分验证了其作为汽车存储芯片的可靠性。通过攻克漏电流等关键技术瓶颈，5纳米MRAM将满足AEC-Q100车规级半导体耐久性标准。三星计划在此基础上推进正式的芯片开发，力求在2027年之前实现5纳米MRAM的规模化量产。

当前，MRAM被业界视为解决DRAM功耗与发热痛点的关键方案，全球范围内的技术竞争日益激烈。市场调研机构Global Market Insights的数据显示，在2025年的MRAM市场中，三星以14.3%的市场份额领跑，台积电则以11.9%的份额紧随其后。据了解，台积电在2025年开发出12纳米MRAM后，为了缩小与三星的技术差距，决定越过8纳米工艺，直接进军5纳米MRAM的研发，导致这两大晶圆代工巨头之间的技术角逐愈发白热化。