韩国砸5000亿韩元，死磕功率半导体

据Sedaily报道，韩国官方已全面启动“超级创新经济项目”，旨在集中力量研发下一代功率半导体技术。初期规划专项资金为5000亿韩元（约人民币22.30亿元），即3.29亿美元（约人民币22.27亿元）。该项目由韩国副总理兼企划财政部部长具润喆主导，经过路线图会议的充分磋商，官方明确要将功率半导体打造成与DRAM存储芯片同等重要的核心产业。据韩媒披露，这笔投资未来有望增加至7500亿韩元（约人民币33.44亿元），即4.94亿美元（约人民币33.44亿元），从而为长期的研发和量产提供稳固的资金支持。

在技术攻关方面，此次研发将重点围绕氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料展开，力求解决器件在高频、高压及高温条件下的性能瓶颈。据透露，在确定技术方向后，韩国将同步开展8英寸化合物功率半导体晶圆厂的基础设施建设，并计划在2027年实现1200V碳化硅MOSFET等关键器件的量产。

为了加速科研成果转化，韩国计划建立由芯片设计公司、晶圆代工厂以及需求端企业组成的产业联盟。同时，官方预计将吸引2500亿韩元（约人民币11.15亿元）的民间资本参与，形成政府与民间共同投资的局面，力争在2030年把功率半导体的产能和技术自给率提高一倍。

此外，研发成果将广泛应用于新能源汽车、人工智能数据中心、工业驱动、电网设备以及高端国防和航空航天等领域。官方指出，随着可再生能源在电力网络中的比例不断上升，功率半导体在保障电网稳定和改善电能质量方面的价值日益重要，相关技术的突破将有效推动能源基础设施的升级改造。

注：按1韩元≈0.0045人民币、1美元≈6.77人民币计算。