芯片微缩遇物理瓶颈，先进封装成算力提升关键

随着晶体管尺寸不断缩小，摩尔定律逐渐逼近物理极限。在3纳米及更先进的工艺节点下，量子隧穿导致的漏电现象日益严重，同时制造成本急剧攀升，产品良率也面临下降压力。仅靠传统光刻技术来提高算力，其经济效益已大幅降低。

为此，半导体产业开始将重心转移至先进封装技术，以此作为提升算力的新途径。其核心原理在于缩短芯片之间的信号传输路径。目前业界主要采用2.5D和3D两种封装方案。其中，2.5D封装以台积电的CoWoS技术为代表，主要用于图形处理器与高带宽内存的水平连接；3D封装则以台积电的SoIC和英特尔的Foveros技术为典型，通过芯片的垂直堆叠来实现。这两种技术均能有效减少互连功耗，并使传输带宽实现成倍增长。

先进封装技术不仅有效缓解了人工智能算力面临的“内存墙”限制，还借助芯粒模式将大型芯片进行分割，从而提高了整体良率并降低了废品损失。

在产能供应方面，预计到2026年，台积电CoWoS的月产能将达到9万片，其中英伟达占据了约60%的份额，这种产能供不应求的局面预计将持续到2027年。尽管英特尔的EMIB和三星的I-Cube技术也参与市场竞争，但台积电在生产规模和良率控制方面具备明显优势。

目前，中国大陆领先的封测企业已经完成了2.5D封装的量产，技术追赶步伐较快。然而，在类似CoWoS的高端封装以及ABF载板领域，仍存在两到三年的技术差距。ABF载板的核心供应商主要集中在日本与中国台湾企业，这构成了产业链中的一个关键制约环节。