日本新创Patentix研发新型半导体材料r-GeO2

近年来，随着高效电力控制需求的不断增长，超宽能隙半导体材料因其更高的能量转换效率和耐压能力，逐渐成为行业关注的焦点。据Patentix介绍，该公司正在研发一种金红石型二氧化锗（r-GeO2）材料，其能隙高达4.7 eV，远超目前主流碳化硅（SiC）的3.3 eV，具备高耐压与低电阻的双重优势。

与氧化镓（Ga2O3）或钻石等材料相比，r-GeO2在理论上能够同时实现半导体元件所需的p型和n型导电特性，这解决了其他材料难以克服的技术难题。此外，r-GeO2的制程温度低于1000℃，且无需真空环境，大幅降低了加工难度、能耗和生产成本。

这种新型材料的应用场景主要集中在车用电子、工业用电和交通运输等高功率领域。凭借其高耐压和低损耗特性，r-GeO2有望推动相关设备的小型化和轻量化，为产品设计提供更大的灵活性。

Patentix成立于2022年，专注于r-GeO2的研发，目标是打造下一代超宽能隙半导体材料。据延伸报道，该公司计划在2027年投入6英寸晶圆镀膜的试制工作，进一步推动该材料的产业化进程。