AI服务器带动MOSFET需求激增，台湾厂商积极布局

据业内人士透露，随着AI服务器高压直流（HVDC）供电和散热技术的快速发展，金氧半场效晶体管（MOSFET）等基础功率元件的需求迎来爆发性增长。中国台湾地区的台半、强茂、德微、富鼎等功率半导体厂商正积极投入散热和电源管理MOS技术的升级与规格优化。

在传统交流电架构中，电力从高压转中压、再转低压，经过多次转换后，能量损耗约达5%。随着数据中心机柜功率需求的提升，电源架构的技术革新成为AI数据中心效率提升的关键。以10MW的数据中心为例，若整体效率提升1%，每小时可节省约100kW电力，大幅降低运营成本。

为提升机柜能效，业界提出了过渡性的800V DC架构，主要针对IT设备区域进行改造，通过侧边电力机柜将交流电转换为直流电。这一架构将电力转换设备移出运算机柜，降低了布线压力。而HVDC的最终目标是将中压电一次性转换为800V直流电输送到机房，省去中间低压交流环节。

熟悉功率半导体产业的人士指出，从800V降至54V或12V的过程中，降压倍率高达数十倍，这不仅放大了电流，还提高了MOSFET的使用密度和电路设计的复杂度。例如，从800V降至12V时，电流会放大66倍。

在散热方面，AI服务器机柜后方通常装有96至144个散热风扇，每个风扇需使用4到6颗MOSFET。为提高散热能力，风扇正从12V转向48V规格，带动了耐压100V规格MOSFET的需求。

然而，传统硅基MOSFET已难以满足新一代设计需求，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）元件的开发需求应运而生。部分厂商坦言，在高压新规格技术导入初期，系统厂往往优先采用英飞凌、意法半导体、德州仪器等国际IDM厂的产品。中国台湾地区厂商则从第二供应商的角色切入中低压转换领域，并逐步通过价格优势争取高压MOS元件市场份额。