国产NAND龙头,NAND与DRAM同步推进
来源:芯极速发布时间:2026-04-161210浏览
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据供应链消息,国产NAND龙头预计到2026年跻身全球第三大NAND厂商。其武汉第三座晶圆厂(三期项目)将于今年下半年正式量产,此外还规划新建两座工厂,目前相关地块已进入土地平整阶段。
据悉,武汉三期项目投产后,约一半产能将用于DRAM研发,另一半则继续用于NAND生产。这里也将成为该公司首个DRAM生产基地,相关设备正陆续安装中。
目前已投产的武汉一厂、二厂设计产能各为10万片,但实际产量尚未完全达到预期。不过近期市场供应紧张,两座工厂产能已接近满载。至于规划新建的两座工厂,业内推测最快也要到2028年才能实现量产。
技术层面,该公司正加速推进技术升级。据透露,到2023年底,其270层NAND产品将占总产出的55%,QLC NAND占比也将突破10%。
该公司的扩产计划备受关注,业界普遍认为,从量产节奏与市场需求来看,其扩产对存储行业整体影响有限,主要基于以下几点:
首先,半导体工厂从建设到量产通常需要2-3年时间,不会立即导致供给过剩;
其次,AI应用推动NAND需求爆发式增长,单一厂商扩产速度难以匹配市场增量;
第三,国内市场对NAND需求长期旺盛,新增产能将优先满足内需;
第四,当前NAND需求增长主要来自AI推理、数据中心等结构性场景,而非传统消费电子领域;
最后,全球主流NAND厂商在资本支出上仍保持谨慎,未出现过度扩产现象。
近期,群联CEO潘健成也表示,除非AI发展停滞,否则NAND缺货问题短期内难以缓解。他预测,供需失衡可能成为常态,而群联计划在2026年筹资约100亿元人民币以应对市场变化。
总体来看,该公司的扩产计划更多是对未来需求增长的前瞻性布局,而非短期供需失衡的信号。
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