AI服务器需求火爆，HBM与NAND量产良率成难题

当前存储器市场的行情主要受两大因素驱动：一是服务器在DRAM和NAND Flash领域的应用占比不断攀升；二是供应商在新型存储产品上的量产良率迟迟无法突破。据日经新闻报道，Counterpoint Research预测，到2026年，服务器在DRAM和NAND应用市场的份额将超过50%。与个人电脑和智能手机等消费电子相比，AI服务器的需求表现出更强的韧性，不易出现大幅下调。

在供应端，用于AI芯片的高带宽内存（HBM）由于需要堆叠多层芯片，其封装工艺的良率很难提高。相较于通用型DRAM，HBM的制造难度更大，即便厂商投入大量资金购买设备，短期内也难以大幅提升产量。同时，HBM的产能受限也在一定程度上刺激了具有互补作用的NAND需求增长。然而，各大NAND厂商在推进AI专用及高速下一代技术的量产良率时，同样面临着难以迅速攻克的技术瓶颈。

在需求激增而供应滞后的背景下，客户不得不激烈争夺存储产能。由于AI服务器领域的存储芯片需要根据客户规格进行定制，多数买家倾向于签订长期采购合约。据观察，目前市场上3至5年的超长期合约数量正在持续增加。日本NAND制造商铠侠高管太田裕雄透露，已有多家客户表达了签订2029年以后长期合约的意愿。以长期合约为基础，NAND制造商能够有效规避过度投资带来的风险。

面对客户的增产诉求，厂商往往采取保守态度。例如，铠侠就不愿盲目扩大产能，以防止重演2019年的市场崩盘。回顾2018年，5G移动通信标准升级和数据中心大规模扩建大幅拉动了需求，半导体厂商纷纷跟进扩产，但最终因扩张过度导致2019年市场陷入负增长。

尽管如此，许多存储厂商的高管依然看好AI需求所带动的行业超级周期。各大主流厂商已相继宣布扩产计划，预计短期内业绩仍将保持强劲。此外，业界后续也有可能迎来产业整合，通过洗牌来减少市场中过多的竞争者。