GaN在800V供电系统中需求激增，IDM厂商加速扩产

据业内人士透露，AI数据中心的800V供电系统对宽能隙半导体的需求已成为市场共识，其中氮化镓（GaN）的用量预计将快速攀升，其导入比重甚至可能超过碳化硅（SiC）。

功率半导体领域的相关人士指出，800V供电系统已被确定为AI数据中心的未来趋势。无论是NVIDIA还是云端服务供应商（CSP），都在探索系统结构规划和技术细节的优化空间。然而，对于宽能隙半导体尤其是GaN的需求，预计将显著增加。这不仅因为GaN的技术特性契合需求，还因为其量产技术的成熟和成本效益的提升，使其导入更具弹性。

目前，各大IDM厂商正积极扩充GaN产能。例如，英飞凌（Infineon）的12英寸GaN产线已开始提供样品；德州仪器（TI）在日本会津与美国达拉斯的扩产使GaN产能提升至原来的4倍，并完成了12英寸GaN的试产。意法半导体（STM）除了扩充8英寸GaN产能，还与英诺赛科达成战略合作，共享前端产能。此外，罗姆半导体（Rohm）计划于2027年在滨松厂完成生产线建设，而瑞萨电子（Renesas）则通过收购Transphorm获得了GaN技术能力。

值得注意的是，英飞凌和德州仪器在12英寸技术上的突破，使其在GaN供应方面具备潜在领先优势。12英寸制程的单片晶圆产能比8英寸高出2.3倍，一旦技术成熟，将能凭借稳定的供货能力在AI数据中心市场占据更大份额。

功率半导体相关业者表示，对于AI数据中心客户而言，供货稳定性是当前最关键的因素。