应材发布三款新设备，助力2纳米以下制程

随着AI运算需求推动半导体产业向2纳米以下先进制程迈进，原子级缺陷可能成为功耗与良率的瓶颈。据媒体报道，应用材料（Applied Materials）近期发布了三款埃（Ångström）级超精细制程解决方案，旨在应对AI时代对功耗和制程复杂性的挑战，同时积极与韩国主要客户展开合作。

韩国应材日前召开发布会，针对2纳米以下环绕式闸极（GAA）制程优化，推出了三款新一代设备，目标是提升良率与效能。其中，Producer Viva（Viva）自由基处理系统专注于GAA晶体管的纳米片（nanosheet）表面制程，可在原子尺度上精密加工纳米片通道表面并去除杂质，从而减少电子移动时的散射，进一步提升晶体管性能。据透露，领先的逻辑芯片制造商已在2纳米以下先进制程中采用该系统。

Sym3 Z Magnum蚀刻系统则用于实现GAA所需的高深宽比3D深槽，引入第二代脉冲电压技术（PVT2），使离子能量与角度的控制更加精准，形成垂直、均匀且方形底部的轮廓，大幅提升制程良率。此外，Centris Spectral（Spectral）钼ALD系统在布线制程中进行材料革新，采用选择性沉积方式，以钼（Mo）取代钨（W）。由于钼的电阻低于钨，可将接触电阻最多降低15%，直接提升AI芯片的运算速度并降低功耗。

业界指出，三星电子、SK海力士等存储器厂商正推动在NAND制造中导入钼材料，应材新设备有望进一步扩展至晶圆代工应用。应材半导体行销负责人Kevin Moraes表示，该系统已在2纳米以下主要制造商进入技术评估的最后阶段，预计不久后将投入量产。

三星作为最早在晶圆代工制程中引入GAA技术的厂商，也与应材持续深化合作。应材正于硅谷投资50亿美元，建设全球最大规模的共同研发中心EPIC Center，三星将以首家赞助成员身份参与。三星半导体暨装置解决方案（DS）部门技术长宋在赫在SEMICON Korea 2026上表示，AI让半导体性能逐渐面临瓶颈，必须将逻辑、存储器、封装等要素纳入同一系统架构进行优化，才能突破瓶颈。

对于三星而言，3纳米制程技术不如预期后，能否整合应材等主要供应链的最新技术，在2纳米GAA制程中实现逆转，将影响其晶圆代工事业的未来发展。而对应材来说，本次新产品将在三星与台积电2026年进行纳米制程量产前，巩固其在半导体设备领域的领先地位。

Moraes指出，半导体的3D结构复杂度日益加剧，已成为产业整体挑战。设计者虽能设计出高密度、低功耗、高速与高带宽的元件，但要实现量产制造仍面临诸多困难，这正是应材长期投入的方向。

此外，应材针对韩国市场的本地化策略更加具体，目前在京畿道乌山建设“应材韩国协作中心”，计划与韩国客户及学术机构合作加速创新，并建立人才培养渠道。