世界先进与台积电达成GaN制程技术授权合作

据世界先进1月28日宣布，该公司已与台积电签署高压（650V）和低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术授权协议。这一合作将助力世界先进加速开发新一代GaN电源元件，广泛应用于数据中心、车用电子、工业控制及能源管理等领域。

世界先进表示，通过此次授权，公司将扩展其矽基底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程至高压应用领域，并打造完整的GaN-on-Si平台。结合原有的新基底功率氮化镓（GaN-on-QST）制程平台，世界先进将成为唯一一家能够同时提供两种不同基板GaN制程的晶圆制造厂。此外，该技术支持从低压（小于200V）、高压（650V）到超高压（1200V）的完整产品解决方案，进一步巩固其在高效率电能转换领域的技术优势。

随着传统矽基制程逐渐接近效能极限，GaN凭借高效率、高功率密度和小型化特点，已成为新一代电源技术的关键材料。世界先进正积极构建涵盖15V至1200V的GaN制程技术，并通过此次授权打造一个与现有制程平台无缝衔接的GaN制程平台。该平台将在成熟的8寸晶圆生产线上进行验证，以确保制程的稳定性和高良率。

据透露，相关开发工作预计于2026年初启动，并计划在2028年上半年实现量产。世界先进总经理尉济时表示，此次合作不仅是公司与台积电持续交流与合作的成果，也体现了世界先进在化合物半导体领域的战略布局。通过这一合作，公司将加速满足客户对高效能电能转换应用的需求。