小米射频团队实现氮化镓技术新突破

小米创始人兼CEO雷军宣布，小米手机射频团队的论文成功入选全球半导体与电子器件领域顶级会议IEDM 2025。

IEDM会议自1955年创办以来，一直是半导体和电子器件技术领域最具权威的论坛之一。本届会议共收录298篇论文，其中中国贡献了101篇。小米与苏州能讯高能半导体有限公司及香港科技大学合作完成的论文，在“GaN和III-V族集成技术用于下一代射频器件”分会场中率先亮相。论文首次报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器。

论文题为《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》，作者包括小米的张昊宸、孙跃、钱洪途、刘嘉男、刘水等人。研究团队由小米手机射频团队主导，项目负责人为孙跃博士。

在5G向6G演进的关键阶段，射频前端器件面临超高效率、超宽带、超薄化和小型化的多重挑战。功率放大器作为射频发射链路的核心组件，其性能直接影响通信系统的能效和信号覆盖能力。传统砷化镓功率放大器虽然在过去的通信系统中发挥了重要作用，但其功率附加效率和高温工作稳定性等方面的局限性逐渐显现，难以满足未来需求。

氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，因具备高临界击穿电场和优异的热导性能，被视为突破射频功放性能瓶颈的重要方向。然而，传统氮化镓器件通常需要高压工作环境，难以与手机的低压供电系统兼容。为此，研究团队聚焦硅基氮化镓技术，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出适用于手机低压应用的射频氮化镓高电子迁移率晶体管技术，并完成了系统级性能验证。

研究在降低射频损耗和优化欧米接触方面取得显著进展，最终实现了在10V工作电压下功率附加效率超过50%。这一成果不仅验证了低压硅基氮化镓射频技术的可行性，还展现了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。小米表示，将继续深化与产业链的协同创新，推动该技术在移动终端领域的规模化商用进程。