宏微科技联手合肥工大，攻关AI算力氮化镓电源技术

据宏微科技官网发布消息，其子公司上海宏微爱赛半导体有限公司与合肥工业大学达成校企合作。双方将针对AI数据中心（AIDC）的板级供电难题，共同研发基于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的三级电源关键技术。在合作分工上，高校团队主要承担拓扑架构设计、控制算法开发及系统能效的仿真优化工作；企业方面则专注于器件的工程化应用与产品的产业化落地，以此推动GaN器件在高密度算力电源领域的国产替代步伐。

当前，AI服务器的单机功耗及机柜功率密度正显著增加。AIDC的供电链路通常采用三级架构，其中紧邻GPU负载的第三级（48V转6V）板载降压环节，直接影响算力卡的供电效率、热损耗及运行稳定性，对功率器件的高频性能和导通损耗提出了严苛要求。由于GaN HEMT拥有寄生参数小、开关速度快及能效高等固有优势，已成为目前高端算力板载电源的理想器件选择。

此前，宏微科技已通过宏微爱赛实现了650V GaN HEMT芯片的自主开发，并成功推出了AIDC第一级和第二级前端供电器件产品。此次定向研发合作，将有效弥补其在第三级板载电源方面的技术缺口，从而构建起覆盖AI数据中心从前端配电到板级负载的完整功率半导体解决方案。