SK海力士加速开发300层V10 NAND

据韩媒《韩国经济》援引业界消息，SK海力士正加速开发300层等级的第十代3D NAND Flash（V10），并计划于2027年初投入量产。这一技术突破的关键在于采用了混合键合（Hybrid Bonding）制程，这不仅有助于减轻周边电路的负担，还能显著缩短生产时间。

目前，SK海力士量产的最高堆叠NAND为321层，而其第九代3D NAND（V9 NAND）之前主要采用Peri Under Cell（PUC）方式。此次V10 NAND导入混合键合技术，显示出SK海力士在应对市场竞争中的技术革新能力。

外界分析认为，SK海力士此举是为了应对来自三星电子、长江存储和铠侠等竞争对手的压力。例如，长江存储自2018年量产64层NAND时，便开始应用名为Xtacking的混合键合技术；铠侠自2023年起通过CMOS直接键合到阵列（CBA）技术将混合键合导入NAND制程；三星则计划从400层等级的V10 NAND开始应用混合键合制程。

据SK海力士官方消息，12月7日在美国举行的2025年度全球半导体联盟（GSA）颁奖典礼上，SK海力士荣获“最佳财务管理半导体公司奖”和“亚太杰出半导体企业奖”。自2025年以来，SK海力士业绩持续刷新季度历史纪录，1~3季度累计营收达64万亿韩元，营业利润达28万亿韩元，预计2025年度业绩将超越2024年的历史最高纪录。

SK集团会长崔泰源强调，越是面临挑战，越要坚定不移地专注于提升技术实力。