清纯半导体近日发布了其第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，首款主驱芯片型号为S3M008120BK，其常温导通电阻低至8mΩ。据资料显示，该平台通过专利技术与工艺优化，实现了比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ.cm²，这一指标领先国际同类产品。
这款芯片的额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在相同芯片面积下，与上一代产品相比，导通损耗降低了约20%。此外，该芯片在降低导通电阻的同时，仍保持了与前两代相近的短路耐受特性，这与传统芯片迭代方式有所不同。
在动态性能方面，该芯片通过优化设计和制造技术，显著改善了MOSFET体二极管的反向恢复特性。寄生电容的降低提升了开关速度，峰值电流Irrm减少了近30%，软度tb/ta和电压过冲Vrrm也得到了优化。这对高速开关应用的损耗降低及多芯片并联应用的动态均流具有重要意义。
此外，第3代产品继承了前两代在可靠性方面的优势，通过了包括HTGB、栅氧马拉松、高压H3TRB、复合应力C-HTRB等严格测试。动态可靠性评估结果显示，第三代产品在试验前后电参数稳定，更适合主驱等多芯片并联应用场景，确保系统在长期使用中保持优良的均流特性。
