美光扩建弗吉尼亚州DRAM工厂

美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra宣布，美光将斥资21.7亿美元扩建其位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂。此次扩建旨在提升美光在美国的半导体产能，并专门用于生产工业、汽车、航空航天和国防领域所需的DRAM存储器。

据透露，扩建项目将对该工厂进行升级，并预计创造340个新的就业机会。此前，美国商务部已根据《芯片与科学法案》向美光提供了2.75亿美元的联邦资金，用于升级长周期DRAM晶圆厂，并将汽车行业的DRAM生产从中国台湾转移至美国。美光公司表示，其弗吉尼亚州工厂目前雇佣了1230名员工，扩建项目将带来额外的950个建筑岗位和400多个制造岗位。

此外，美光还有可能获得MEI委员会批准的高达7000万美元的特别资金，但这笔资金需以公司投资超过21亿美元并创造340个新工作岗位为前提，并需得到弗吉尼亚州议会的最终批准。

关于扩建项目的具体细节，美光并未透露晶圆厂升级的具体方案以及将增加多少额外的制造能力。然而，鉴于长生命周期DRAM的产量相对较小，专用内存设施规模不会太大。同时，由于特种DRAM不使用领先的工艺技术制造，美光无需购买极其昂贵的EUV光刻设备。据悉，仅凭2.75亿美元的联邦资金，美光就足以购买大量价格在3000万至5000万美元之间的DUV光刻系统。