碇基半导体GaN晶体管：DMTBF测试通过

碇基半导体近日宣布其创新的双面散热GaN晶体管已独家通过DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）测试。这款产品在20万小时持续运作后，仍展现出高信赖性与可靠度。

碇基的双面散热结构有效解决了高功率产品的热导问题，降低了电热耦合风险，并提升了散热效能。此外，其特殊封装减少了寄生电感，提高了电源效率，尤其在高效能、高密度、高频率和温度控制方面表现卓越。

此技术已应用于台达与威刚科技联合开发的钛金级电源供应器XPG FUSION 1600W。这证明了碇基半导体在GaN功率半导体领域的领先地位，并为其在全球市场的进一步发展提供了有力支持。

碇基半导体在GaN领域拥有15年以上经验，累积了超过200件高价值专利。这次DMTBF测试的成功，为碇基半导体树立了新的里程碑，并期待其在未来创造更多突破。