超24亿并购案，GaN格局大变！

GaN领域再现大手笔收购。
1月11日，瑞萨电子公司正式宣布，他们已经与Transphorm达成最终收购协议。该交易预计将于2024年下半年完成，具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。
根据该协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元（约合24亿人民币），该收购金额约为Transphorm公司2023财年总营收（1650万美元）的20倍。

Transphorm是一家总部位于美国加利福尼亚州的半导体公司，核心业务就是GaN器件，瑞萨电子此次收购的目的自然是要扩张氮化镓（GaN）版图。瑞萨表示，此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案。
据此前消息，瑞萨与尼得科株式会社（NIDEC）已达成合作，预计2024年将合作推出第二款X-in-1 PoC，这款款PoC将用GaN来取代DC-DC和OBC的传统功率器件，进一步实现小型化和低成本化。
虽然GaN起步于快充，但它的应用领域远不止消费电子领域，特别在车用功率器件领域，GaN功率器件市场份额一直保持稳定增长。2023年9月，日本OKI与信越化学联合开发了一项新技术，将实现低成本制造垂直GaN功率器件，有望将制造成本降至传统制造成本的10%。届时GaN将会更具优势。
Yole此前预测显示，GaN市场将在2028年达到20.8亿美元，2022年~2028年复合增长率将会保持在44%。其中，汽车和通信是GaN两个高速增长的市场。

随着目前英飞凌收购GaN Systems、瑞萨电子收购Transphorm，接下来全球的氮化镓市场份额和格局也将继续发生变化，大厂之间的角逐也将更加激烈。
国内企业方面，三安光电、华润微、英诺赛科、赛微电子、珠海镓未来等厂商正在马不停蹄地加速布局GaN并推进产品落地和商用。