长鑫存储“晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，近日长鑫存储公开了多条专利信息，其中一条名称为“晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法”，公开号为CN113327884A，法律状态显示该专利已获授权。

专利摘要显示，本发明涉及一种晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法，晶圆支撑件包括柱体与支撑块。风管的口部排出的反应气体能均匀地流向到晶圆的整个表面上方，晶圆对应于支撑块的表面部位的气体量与晶圆的其它部位的气体量基本相同，进而晶圆对应于支撑块的表面部位沉积形成薄膜的厚度与其它部位基本相同，也就是能提高晶圆的边缘部位沉积厚度的均匀性，提高晶圆产品质量。此外，柱体的宽度相对减小，通过抽吸机构将炉体内对应于晶圆处的反应气体抽离的过程中，柱体的阻挡作用同样减弱，反应气体及时地被抽离出反应炉体，从而尽可能地避免反应气体停留在晶圆支撑件的区域发生反应产生副产物颗粒，且该副产物颗粒也容易被抽吸机构抽离出炉体。

长鑫存储指出，为了开发高附加值的高性能下一代半导体产品，技术正在朝着集成化设计规则的方向发展。传统的晶圆加工装置包括炉体、设置于炉体内的晶圆支撑件与用于向炉体内通入反应气体的风管。将待进行反应处理的晶圆放置于晶圆支撑件上，风管将反应气体通入到炉体内与晶圆发生反应，反应后的气体被抽吸机构抽离到炉体外，如此循环。经过几小时或十多小时的反应时间，反应气体发生反应后在晶圆的表面上沉积形成一层薄膜。然而，晶圆对应于支撑件的表面部位的薄膜的厚度低于晶圆的其它部位的薄膜的厚度，晶圆的表面上的薄膜的厚度均匀性较低，导致晶圆产品质量低下。基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法，它能够提高晶圆的边缘部位沉积厚度的均匀性，提高晶圆产品质量。

（校对/刘昕炜）