中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，中芯国际近日新增多条专利信息，其中一条名称为“NAND闪存器件及其形成方法”，公开号为CN113078099A，法律状态显示该专利已获授权。

专利摘要显示，一种NAND闪存器件及其形成方法，方法在形成第一源漏掺杂区之后，刻蚀减薄第一初始间隙壁结构，使第一初始间隙壁结构形成第一间隙壁结构；形成第一间隙壁结构之后，在第一槽中形成底部介质层；形成底部介质层之后，去除第一间隙壁结构，以在底部介层和第一栅极结构之间、以及底部介质层和第二栅极结构之间形成第一开口；在第一开口的内壁和第一开口上、以及底部介质层上形成顶部介质层，第一槽中底部介质层分别和第一栅极结构和第二栅极结构之间具有第一空隙，第一空隙被顶部介质层的材料包裹；形成贯穿顶部介质层和底部介质层的第一导电连接结构，第一导电连接结构与第一源漏掺杂区电学连接。上述的方案，可以提高NAND闪存器件的成品率。

中芯国际指出，NAND闪存器件具有较高的单元密度、较高的存储密度、较快的写入和擦除速度等优势，逐渐成为了快闪存储器中较为普遍使用的一种结构，目前主要用于数码相机等的闪存卡和MP3播放机中。其中，现有的一种NAND闪存器件采用空隙用于作为空气侧墙，与侧墙材料相比，空气的介电常数较小，所以空气侧墙的设置能够减小NAND闪存器件中相邻字线之间的电容，从而改善所述NAND闪存器件在编程过程中的串扰问题和NAND闪存器件的重复读写能力。但是，目前NAND闪存器件的性能仍有待提高，因此提出了上述专利。

（校对/刘昕炜）