三星追赶台积电秘密武器 研发3纳米封装解决方案

三星近年致力发展封装技术。三星

虽然整体半导体市况面临趋缓，主要业者在先进制程领域的竞争仍相当激烈，三星电子（Samsung Electronics）为了追赶台积电，正投入3纳米芯片封装技术研发。

根据韩媒首尔经济报导，三星先进封装（AVP）事业组常务尹承旭（音译）日前参加由益华电脑（Cadence)）举办的2023 CadenceLIVE Korea，介绍AVP事业组升级的各式封装解决方案，及三星的一站式（Turnkey）商业模式和事业前景，特别是用于3纳米等先进制程芯片的新封装解决方案Saint-L受到关注。

三星于2022年6月宣布透过环绕式闸极（GAA）结构量产3纳米芯片，且为了发展高端封装技术，另外组织AVP事业组。Saint-L封装解决方案的核心为将三星晶圆代工生产的5纳米、3纳米芯片垂直堆叠，并在上方堆叠存储器，包括扇出型封装（FOPKG）、矽穿孔（TSV）等三星封装事业的尖端技术，都将应用于该解决方案中。

尹承旭表示，该芯片将与全球半导体设计自动化（EDA）领先业者益华电脑合作，目前处于样品制造阶段，并与某家无法透露身份的客户以量产为目标研发。三星计划携手全球合作伙伴建立生态系，与客户共同发展高端封装。

责任编辑：张兴民