Flash价格逆势扭转 DRAM打底期拉长

NAND价格拉涨成为原厂当务之急，8月现货价格涨势启动。李建梁摄（数据照）

尽管终端市场需求持续低迷不振，存储器上游原厂铁了心要拉擡Flash价格，业界观察，近1个月来，NAND Flash现货价格持续小幅调升，单月涨幅约达5%，逐渐靠拢合约价。但DRAM市场价格依然处于磨底阶段，DDR4涨势无力支撑，价格修正期恐拉长至年底。

随总体经济复苏缓慢、国内经济警讯四起，存储器模块业界认为，无论从PC、零售、手机或服务器等领域来看，下半年旺季不旺态势底定，2023年将延续库存调整的格局，存储器产业下行周期已长达1年，陷入近年来罕见的低潮。

从8月现货价格观察，主流DDR4产品仍维持微幅跌价的走势，比7月跌幅略为扩大，包括DDR4 8Gb产品跌价已达3.6%左右，DDR4 16Gb也从7月跌幅约1%提高至近2%，显示DDR4市场价格处于波动震荡。但DDR3 4Gb价格微幅下跌1.5%，相较于7月跌幅约5%已呈现收敛。

相较于DDR4价格力道疲乏，受惠于AI带动高带宽存储器（HBM）需求暴增，高端DDR5供给也呈现紧缺，韩系存储器业者倾向透过较高附加价值的产品组合以提高获利。市场预期，DDR5渗透率可望提升，促使服务器、PC等客户逐渐转换至DDR5规格。

虽然DRAM整体价格仍处于走跌局面，但原本不被看好的NAND却意外提前启动价格涨势，甚至出现Flash带头拉涨DRAM买气的情况。

从各家存储器原厂财报来看，近一个季度DRAM的出货量及ASP平均价格已呈现回升，但Flash报价却依然位于成本线以下，导致原厂有志一同地提升Flash价格，优先性更高于DRAM价格调涨。

相较于Flash颗粒涨跌呈现区间盘整，Flash Wafer价格在8月出现较大涨幅，以512Gb为例，1.40~1.41美元价格在6~7月持续盘旋，买方采购意愿低落，但从7月底~8月初的价格拉涨开始启动，到了8月底已提高至1.50~1.52美元。

业界认为，NAND整体库存水位仍高，不过上游原厂透过特定存储器模块大厂持续酝酿价格调涨的氛围逐渐成形，因而带动现货市场价格正在慢慢垫高。

值得注意的是，尽管现货市场的买气较为活络，然而期货市场并没有跟着动，显示市场胃纳量并未明显提升，终端需求疲弱，部分市场派人士依然抱持观望保守的看法。

存储器模块私下指出，虽然原厂库存水位正在改善中，龙头三星电子（Samung Electronics）也带头加速减产，宣告产业供需改善将呈必然方向。

但短期内市场需求缺乏激励效应，第3季尾声代理端买气低迷，导致库存去化缓慢的忧虑再起，业界普遍不愿意背负库存风险，有可能导致NAND价格后继无力，亦可能延续拉长1.5美元左右的现有价位。

近一波NAND价格调涨是否仅是昙花一现，仍需要持续观察。

责任编辑：朱原弘