BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产

比利时布鲁塞尔，2023年8月8日--欧洲领先的氮化镓（GaN）车规半导体代工厂BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产。该项技术在高能效软开关应用方面，已达到世界领先水平。这是BelGaN完成对安森美晶圆厂收购仅一年后取得的一个重要里程碑。

BelGaN正在为GaN ValleyTM奠定基础，这是一个不断发展的创新生态系统，主要面向基于氮化镓的芯片和电力电子产品，应用于欧洲及其他地区的电动汽车、移动、工业、数据中心和可再生能源市场。这与欧洲实现芯片自主化（欧洲芯片法案）和碳中和社会（绿色交易）的目标不谋而合。

在BelGaN成立GaN ValleyTM生态系统仅几个月后，已拥有40多家欧洲GaN产业链公司和机构。（www.ganvalley.org）

“氮化镓量产是我们实现GaN ValleyTM愿景的第一次飞跃。”BelGaNCEO周贞宏博士表示，“友商需要数年的时间才能将氮化镓工艺和技术应用到生产中，而我们凭借着超过200人*年的氮化镓技术开发经验和30多年的大批量车规级芯片生产经验，仅用了创纪录的一年时间就实现了这一目标。”

BelGaN的前身是1983年成立的MIETEC，后被阿尔卡特（Alcatel）和AMIS收购，又于2008年出售给安森美，并在2009年开始进行氮化镓研发，30多年来一直致力于车规半导体生产。位于比利时Oudenaarde的工厂目前正在从硅工厂转型为氮化镓工厂，这将推动该地区的创新式增长，并在研发、运营和各种服务等部门提供就业机会。

BelGaN首席技术官兼业务发展副总裁Marnix Tack博士表示：“这是BelGaN和氮化镓界激动人心的时刻。我们的Gen1 650V E-Mode氮化镓技术是我们的市场入门平台，面向高能效软开关应用，其性能已达到世界领先水平。这也是我们目前正在开发的Gen2和Gen3平台的基准，这些平台预计将于今年晚些时候或明年初发布。”

BelGaN和GaN ValleyTM受到能源和气候大趋势的推动，即以可承受的能源成本提高电气化程度，从而实现更高的可持续性和碳中和（太阳能和风能、电动汽车等）。例如，据业内专家称，每生产一个氮化镓器件将减少4千克二氧化碳排放。