40 V耐辐射GaN FET为苛刻的航空航天应用设定新的效能标准

宜普电源转换公司（EPC）推出两款额定电流为62 A和250 A的新型40 V元件，以扩展其用于功率转换解决方案的耐辐射氮化镓（GaN）产品系列，支持航太和其他高可靠性应用。

EPC宣布推出两款新型40 V耐辐射GaN FET。EPC7001是一款40 V、4 mΩ、250 APulsed的耐辐射GaN FET，仅占用7 mm2的印刷电路板面积。EPC7002是一款 40 V、14.5 mΩ、62  APulsed的耐辐射GaN FET，仅占用1.87 mm2的印刷电路板面积。

两款元件的总剂量辐射额定值均超过 1,000K Rad（Si），而LET的 SEE抗扰度为 83.7 MeV/mg/cm2，VDS可达100%额定击穿值。这些新型元件和其他耐辐射元件系列均采用芯片级封装。封装元件由EPC Space公司提供。

针对高可靠性和航空航天应用，具备更高效能的EPC的eGaN FET和IC可替代传统的耐辐射矽元件。EPC的氮化镓耐辐射元件比矽耐辐射元件明显更小、电气效能高出40倍和总体成本更低。此外，与传统采用矽元件的解决方案相比，采用具备卓越抗辐射能力的EPC耐辐射元件，可支持具有更高的总辐射量和SEE LET水平的应用。

宜普电源转换公司首席CEO暨联合创始人Alex Lidow表示，耐辐射氮化镓产品系列提供无与伦比的效能和可靠性，其显着的优势使航空航天系统更高效和更坚固，支持在严苛环境下的广泛应用，例如航太和其他高可靠性军工应用。

受益于氮化镓元件的效能和在应用中可以快速部署的应用包括DC/DC电源转换器、马达控制器、激光雷达和用于太空的深空探测和离子推进器。氮化镓元件特别适合用于在近地轨道（LEO）和地球同步轨道（GEO）运行的卫星和航空电子系统。