台亚半导体首颗650V GaN功率元件顺利试产，子公司积亚明年量产SiC晶圆

台亚半导体7月26日召开法说会，虽然第二季表现仍受总体经济情势和终端消费力道影响，但从季成长率来看主要客群状态，市场复苏已露曙光。

台亚总经理衣冠君指出，在氮化镓方面，产线承袭过往硅功率元件的制程环境与技术经验，并购入专为氮化镓生产的有机金属化学气相沉积磊晶（MOCVD）等设备，已顺利试产首颗符合D-mode 650V氮化镓功率元件，在动、静态方面参数都可以达到业界标准，后续待客户验证完毕后，可望提供产品代工服务。

台亚旗下子公司“积亚半导体”为专职制造碳化硅（SiC）晶圆，未来将根据客户不同需求，以自制磊晶晶圆，协助制造SiC集成电路晶圆，为客户带来良好服务及产品品质。

积亚半导体总经理王培仁在法说会表示，积亚半导体目前尚处于建置无尘室阶段，无尘室预计于今年8月完工，并于2024年1月进行试产，预计明年第三季进入量产，并于2025年达到满产能。

积亚半导体初期生产的SiC元件，主要聚焦制造白色家电、AI服务器电源供应器（serverPSU）等相关功率元件市场，中长期目标为取得车用认证，进入车载充电器（OBC）、车用逆变器（tractioninverter）等车载组件市场，挤身国际电动车供应链。

台亚近期在碳化硅、氮化镓都有非常大的投资金额在进行，预计未来新厂建置也是为了化合物半导体所建，目前规划未来碳化硅及氮化镓月产约近5000片，但此量额远不及未来电车与新能源市场需求，台亚集团已开始规划未来三年扩厂计划，积极向政府争取4公顷铜锣区用地建置新厂，扩大碳化硅、氮化镓等生产线。

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