东芝推出第三代650V SiC肖特基势垒二极管

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。

今年2月，东芝总裁佐藤裕之表示，公司的主要产品是用于控制汽车和家电功率的功率半导体，目前正在扩大产能。

佐藤裕之表示，车用功率半导体的性能非常好，公司认为需要扩产。目前生产场地不够用，要建新厂房。据悉，东芝电子计划在姬路半导体工厂（位于兵库县太子町）建设新厂房，并将于2025年春季投产，建成后该工厂的汽车产品产能将增加一倍以上。

图片来源：拍信网正版图库

未来，半导体市场将扩大，并且用途也逐渐明了。以汽车为例，随着电气化的推进，使用的半导体数量不断增加。佐藤裕之表示，未来东芝电子在半导体设备投资可能会增加。

此外，佐藤裕之表示公司将会大力发展节能性好、采用“碳化硅（SiC）”材料的功率半导体，并透露量产应该在2025年开始，但日本和国外的客户都希望提前量产，公司方面将会讨论是否有可能推进进程。

SiC是第三代化合物半导体的典型代表，具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，广泛应用于电力电子与射频等下游。

SiC相比硅基材料具有宽禁带、电子饱和漂移速率高、热导系数高和熔点高等优势，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，作为衬底开发出更适应高温、高压、高频率和大功率等条件的半导体器件，广泛应用于新能源车、光伏及射频领域。

其中，新能源汽车可以说是目前碳化硅应用最火热的赛道。根据TrendForce集邦咨询《第三代半导体功率应用市场分析报告》内容显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：化合物半导体市场。