百亿大项目进展；存储器价格涨跌幅预测；多家厂商闯关科创板

“芯”闻摘要

存储器产品价格涨跌幅预测
数百亿大项目进展
半导体厂商闯关科创板
全球首颗AI全自动设计CPU问世
三星透露闪存新消息

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存储器产品价格涨跌幅预测

据TrendForce集邦咨询最新研究指出，2023年第三季，预期DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%；整体NAND Flash均价持续下跌约3~8%，第四季有望止跌回升。

具体来看，DRAM方面，第三季预估整体PC DRAM均价将环比下跌0~5%；Server DRAM均价跌幅约0~5%；Mobile DRAM均价仍会呈现环比下跌0~5%；整体Graphics DRAM均价跌幅约0~5%；第三季Consumer DRAM均价跌幅至0~5%...详情请点击《供应商减产及季节性需求支撑，预估第三季DRAM均价跌幅收敛至0~5%》

在NAND Flash方面，第三季，预估Client SSD均价将环比下跌8~13%；Enterprise SSD均价跌幅将收敛至5~10%；UFS合约均价跌幅仍有约8~13%；NAND Flash Wafer均价有望环比增长0~5%；而eMMC价格走势仍会与同容量UFS大致相同，预期仍有下跌可能...详情请点击《各类NAND Flash价格涨跌幅预测：Q3均价续跌约3~8%，仅Wafer率先上涨》

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数百亿元大项目进展

近日，总投资67亿美元（约合人民币485.54亿元）的华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目正式开工。

据了解，华虹无锡集成电路研发和制造基地项目分两期建设，其中一期项目已经成功投产，二期项目总投资67亿美元，聚焦车规级芯片，将建设一条工艺等级覆盖65/55-40nm，月产能8.3万片的12英寸特色工艺生产线。根据此前规划，该项目预计2025年开始...详情请点击《近500亿投资项目正式开工》

据“绍兴发布”消息，7月4日，在绍兴市举行的197个重点项目开竣工活动中，一项总投资高达560亿的滨海新区电子信息基地项目备受关注。该项目规划未来5至10年内预计完成投资560亿元。项目分阶段建设，先期计划投资180亿元，形成12英寸晶圆9万片/月的产能规模，预计达产后年产值90亿元以上。

滨海新区电子信息基地项目整体实施后，将与已有的集成电路晶圆制造项目构建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模组代工服务平台，形成“千亩千亿”产业规模，打造世界级模拟类芯片技术研发和大规模生产基地，为我国集成电路产业制造端实现自主可控和关键战略性产品供应链安全提供有力保障...详情请点击《560亿大项目上马，绍兴又有“芯”动作》

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半导体厂商闯关科创板

近日，根据上交所信息显示，又有多家半导体厂商的科创板上市申请正式获上交所受理，分别为晶亦精微、华羿微电、长光辰芯、明皜传感、芯邦科技、芯旺微、科利德等，涉及芯片设计、半导体材料、设备等。

招股说明书显示，晶亦精微此次拟募集资金16亿元，扣除发行费用后将投资于“高端半导体装备研发项目”“高端半导体装备工艺提升及产业化项目”“高端半导体装备研发与制造中心建设项目”和“补充流动资金”。

长光辰芯拟募集资金15.57亿元，扣除发行费用后，将全部用于投入面向机器视觉/科学仪器/专业影像/医疗成像领域的系列化CMOS图像传感器的研发与产业化项目、高端CMOS图像传感器研发中心建设项目以及补充流动资金。

明皜传感此次拟募集资金6.2亿元，扣除发行费用后，将投资于高性能高可靠性MEMS惯性传感器开发与系统应用项目、研发中心建设项目 、MEMS传感器测试基地建设项目以及补充流动资金...详情请点击《7家半导体厂商科创板IPO获受理！》

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全球首颗AI全自动设计CPU问世

近日，中科院计算所的处理器芯片全国重点实验室及其合作单位，用AI技术设计出了32位RISC-V CPU“启蒙1号”——这是世界上首个无人工干预、全自动生成的CPU芯片。

这颗CPU采用65nm工艺，频率达到300MHz，并可运行Linux操作系统，性能与Intel 80486SX相当，设计周期则缩短至1/1000。

“启蒙1号”是基于BSD二元猜测图（Binary Speculation Diagram）算法设计而来。研究人员通过AI技术，直接从“输入-输出（IO）”自动生成CPU设计，而无需工程师提供任何代码或自然语言描述。

该团队表示，其训练过程需要不到5个小时，便能达到>99.999999999%的验证测试准确性...详情请点击《全球首颗！中国团队推出AI全自动设计CPU！》

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三星透露闪存新消息

根据韩媒The Elec报道，三星存储业务高管近日对外表示，2030年V-NAND可以叠加到1000多层。闪存市场层数堆叠竞争愈演愈烈，未来存储产品容量有望持续提升。

目前3D/4D NAND Flash已经突破200层，三星第8代V-NAND层数达到了236层；美光232层NAND Flash已经量产出货；今年3月铠侠和西部数据共同宣布推出218层3D NAND闪存，已开始为部分客户提供样品；SK海力士2022年8月成功开发出世界最高238层4D NAND闪存，今年6月该公司宣布已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。

未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash，美光232层之后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash...详情请点击《3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！》

封面图片来源：拍信网