GaN单晶切片新突破，DISCO开发出优化的 KABRA® 工艺

7月3日，据DISCO官网消息，公司采用了 KABRA（一种利用激光加工的晶锭切片方法），开发了一种针对 GaN（氮化镓）晶圆生产进行优化的工艺。通过该工艺，可以同时实现增加GaN晶片的生产数量和缩短生产时间。

传统上，将GaN晶锭切成晶圆的主流方法是使用金刚石线切割。然而，使用该方法进行切片时存在一些问题，例如加工时间、切片部分的材料损失比所用线的厚度还要厚，以及由于切片后为使表面平坦而进行的研磨过程中的材料损失，所生产的晶圆数量少。这些导致晶圆价格昂贵，阻碍了GaN功率器件的普及。

自开发用于生产 SiC（碳化硅）晶圆的 KABRA 工艺以来，DISCO 一直收到许多制造商的请求，希望将该工艺也应用于GaN。DISCO一直在努力研发，以实现为GaN优化的KABRA工艺，并在这次新闻发布会上宣布将其作为一项大规模生产技术。

Φ4英寸氮化镓晶片分离和研磨后

01.

KABRA工艺流程

1.激光辐照在晶锭内部并形成KABRA层

2.分离成衬底片

3.将衬底片精磨至指定厚度

4.为下一次激光辐照研磨晶锭顶部表面

▼常规工艺流程：线切割

02.

工艺优势

■ 常规工艺VSKABRA工艺

* 当从2英寸、5毫米厚的氮化镓晶锭生产指定厚度为400微米（SEMI标准）的衬底晶圆片数量比较

■加工时间比较

*3: DISCO的数值是截至本新闻稿发布时间所获得的数据。

*4: 当用多片金刚石线切割切片后进行研磨加工时，所有的数值都是从用户那里获得的一般数值。

*5: 假设四个晶锭同时加工，生产的衬底数量。

*6：根据同时对四个晶锭进行线切割切片和研磨过程所需的时间计算出的晶圆生产数量。

来源：DISCO官网、芯TIP