SiC如何降本30%？8吋何时起量？这场讨论带来新思路

5月25日，行家说在上海举办了『汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会』，合计超500位SiC精英参会（.点这里.）。

除了现场的主题报告外，本次会议最瞩目的环节当属2场圆桌论坛，其中上午场圆桌论坛邀请到了同光股份副总经理王巍，中电化合物董事潘尧波，烁科晶体总经理助理马康夫以及西湖大学国强讲席教授、副校长仇旻担任分享嘉宾，并且由行家说三代半研究总监张文灵担任主持人。

本次圆桌论坛主要围绕国产SiC材料的机遇与挑战进行讨论，让我们来看看四位嘉宾互相碰撞出了哪些精彩观点吧！

国产进步明显

推动碳化硅达到价格甜蜜点

问：在全球新能源转型的大环境下，碳化硅半导体迎来了历史性的大机遇，很多人都想了解近年来国产SiC衬底和外延的取得了怎样成绩？未来的市场需求如何？

王巍：我认为碳化硅材料在未来5-10年内市场前景会更远大，国产SiC材料的发展方面，最近英飞凌宣布与天岳、天科签单，同时天岳与博世签长约，这些合作说明国际大厂对国产碳化硅衬底和外延的认可，也说明国产材料的进步还是比较明显的。

其次，我认为国产碳化硅产业链（从上游材料端到器件端）为提高碳化硅性价比的做了很多工作，与此同时，国内各个厂家也在积极扩产，这几年碳化硅衬底、外延产能也提高地很快，所以整个市场会快速进入到价格甜蜜点，能够跟硅基功率器件形成良性竞争关系。

第三，最近3-5个月的需求反馈来看，我认为整个市场还是比较健康的，在快速的往前发展。

同光股份副总经理王巍

潘尧波：国产碳化硅材料的进展方面，我认为可以总结为两句话。

第一是国产衬底，特别是头部企业的衬底质量是相当不错的，可以和进口衬底相媲美。

第二是国产外延材料性能，无论从流片、良率，还是从器件的可靠性来讲，都能够与国际水平相媲美，外延材料是完全可以实现国产替代的。

中电化合物既做SiC衬底又做外延，去年5月，采用我们产品的1200V、20毫欧/14毫欧车规主驱SiC MOSFET已通过了下游客户验证。

马康夫：国内企业率先在半绝缘衬底方面取得了非常快的进展。而在导电型衬底方面，2021-2022年国内各个衬底厂商的外部的应用需求迅速增长，同时在各项指标上已经得到了下游端客户的验证。

其实国内衬底已经被应用在主驱SiC MOSFET上，而且英飞凌与天岳、天科签单，天岳与博世签约，说明我们国内的衬底被国际大厂认可，未来我们在国际市场的份额也会越来越大。

仇旻：碳化硅材料除了汽车等功率器件的相关应用，在光电领域其实也有很多市场机遇。

理论上说，碳化硅能替代玻璃等透明材料，其散热、导电等性能远超一般材料。如果能够把碳化硅衬底成本降低一到两个数量级，他们在光电领域也会有极大的应用可能性。

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碳化硅降本关键：

更厚、一致性、切磨抛、耗材国产化

问：碳化硅材料如何降成本也是大家非常关注的事，那么有哪些好的降本路径？

王巍：碳化硅材料其实在国内只经历了十几年的发展时间，很多环节都不是特别的成熟，每个环节都有提高空间，如果任何一个环节都能提高一点的话，将使得终端产品成本控制得到明显改善。

其中，国产SiC在加工良率方面还有待提高，目前碳化硅晶体加工是短板，期待切磨抛等设备能够有新的突破。例如，将来8英寸碳化硅单晶如果能用上激光剥离工艺，将能够极大提高成本的控制能力，所以我们都在关注加工设备以及新的工艺方法。

潘尧波：我还想再补充3点：

一是目前国产碳化硅衬底最难的环节是在晶体，长晶质量和国外实际上相差不多，和国外相比差距较大的是晶体厚度，国内大概是20mm左右，但是国外可以做到50mm。

二是加工端良率的损耗较大，亟需导入一些新技术，我们过去已经从从砂浆线切割过渡到到金刚线切割，还一个晶体切割路径就是激光切割，这些都有利于成本的降低。

最后就是要尽快上规模、上量。

中电化合物董事潘尧波

马康夫：除了厚度外，国产单晶与与国际头部的差距表现在产品一致性。降低成本，一方面要解决晶锭与晶锭之间的一致性问题，另一方面，要解决提升单锭厚度的产品稳定性问题。

降低成本还有一个很重要的点——耗材的国产化，例如等静压石墨材料这2年需求比较紧缺，价格涨幅每年都达到8%-10%，价格居高不下，而且供应量也得不到保障。然而，后段外延和器件厂商端要求国内衬底每年进行8%-10%的降本，所以说原材料的国产化的替代步伐和进程还要加快。

仇旻：传统碳化硅晶体的切磨抛技术确实还需要很大的提高，我们新推出的激光剥离设备主要是为了解决“切”这一部分的难题。

实际上，激光技术除了在“切”上面提供帮助，还可能对“磨抛”环节带来有一定的创新影响，我们已经在公司内部研发如何用激光来进行表面的抛光，有望进一步提高“磨抛”的生产效率和成本效益。

8英寸SiC超预期发展

2025年将规模起量

问：开发8英寸及更大直径的SiC衬底也是非常重要的降本路径，那么，8吋SiC大概什么时候会上量？

烁科晶体总经理助理马康夫

王巍：国际大厂们对8英寸SiC持着比较激进的态度，近2年国内衬底厂商在8英寸上也不遗余力地加快速度，而且国内不少厂家也已经将产品拿给国际器件大厂做验证，所以我认为今年是8英寸产品的验证年，2024年会进入小批量生产，2025年国际大厂可能会实现量的释放。而国内8英寸产品上量可能到2027年，但也可能提前。

潘尧波：8英寸SiC的进展是超预期的，起量的节点大概在2025年。

另外补充一点，我们做过8吋和6吋的分析，仅从外延角度，导入8吋后成本增幅是很小。

马康夫：从我们市场端了解到的信息，国外企业的8吋推动力还是比较强大的，因为国外比较多8吋硅线转向12吋，因此出现了一部分产线闲置，因此可以稍加升级用作8吋SiC线。

我们从市场了解到信息，在2023年已经有厂商开始在小批量导入验证8吋衬底验证，2024年会起一些量，根据报告2024年8吋衬底的全球产量占比会达到10%左右，但是真正规模起量应该是在2025年。

国内衬底或达100万片

主流SiC厂商翻番扩产

问：目前，衬底是碳化硅供应链中的瓶颈之一，很多人都想知道国产衬底企业都有怎样的产能规划？

西湖大学国强讲席教授、副校长仇旻

王巍：同光股份这两年在快速扩产，按照每年翻一番的节奏在走，明年我们内部产能规划达到30万片，2025年做到50-60万片。

从我们这边了解的数据来看，今年国内碳化硅衬底（折算成6英寸）肯定会过100万片，注意这100万不是生产数量，而是有效销量，预计到2025年国内的产能可能会提得更高。

潘尧波：中电化合物也在加速扩产，今年我们会比原定计划超出大概50%，之后每年也差不多翻倍增长。

马康夫：烁科晶体的扩产计划会根据市场需求情况做相应的调整，目前规划在2024年要做到30万片，计划在2025年达到60万片，希望在2026年达到150万片。

仇旻：我们的激光剥离设备也已经做好了准备，现在处于产业验证的阶段，最近我们完成了第一轮融资，目前已经具备一定的产能。8吋SiC最大的需求示范点会在2024-2025年，因此我们完全可以在产能和技术上做得更好，希望能够与SiC厂商一起共同发展。

本次论坛的成功举办，得到了碳化硅行业专家和大咖们的鼎力支持，也汇集业内顶尖的思维和声音，为产业的健康发展提供了参考方向，未来，期待行家说论坛能更好地为行业发声、为行业聚力。

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