零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战

5月25日，由行家说举办的汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会在上海成功举办，英飞凌零碳工业功率事业部高级经理张明丹应邀参加了大会主题演讲。

英飞凌零碳工业功率事业部 高级经理 张明丹

零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战

会上，张明丹带来《零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战》的主题报告。集合零碳时代的新应用趋势与需求，她分析了碳化硅技术的特点与优势，让产品、方案和可再生能源链条环环相扣，满足快速增长的市场需求。

从硅基到碳化硅，客户可根据系统优化需要，结合英飞凌丰富的CoolSiC™产品图谱，进行灵活的方案配置。

结合英飞凌在碳化硅领域20余年的丰富经验，始于硅且不止于硅，CoolSiC™ MOSFET技术大有可为，始终致力于提升器件可靠性与长寿命。碳化硅技术电压范围覆盖650V-3.3kW，可提供的系统收益包括：性能提升、体积减小、功率密度提升、系统成本降低。

全球趋势，推动新型功率半导体解决方案

全球能源系统面临双重挑战：更多的能源需求、更少的碳排放。为了进一步抑制全球变暖，温度升高控制在1.5°C以内，从2010到2030年，全球二氧化碳净排放量需下降约45%。

清洁能源、节能增效、绿色出行正在成为新的能源趋势。风能和太阳能等可再生能源，是全球新能源结构的重要组成部分。新能源交通蓬勃发展，从乘用车辆到公共交通、运输车辆以及配套充电系统。减少能源消耗，使我们的生活和工作方式更加环保。在新能源发电、储能应用、电机驱动，碳化硅可以为整个能源供应链的诸多应用提供性能改善。以新能源发电应用为例，在与硅基相同系统体积和重量下，碳化硅可极大的提升输出功率。

英飞凌紧跟低碳化趋势，不断让绿色、高成本效益的电能应用成为可能，为世界不断注入绿色能源，实现零碳转型。

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