安森美开发使用沟槽结构SiC器件，有效降低成本！

据eeNews报道，安森美正在开发使用沟槽结构而不是平面结构的碳化硅MOSFET，将于今年晚些时候推出，预计2024年会出样。

该公司在捷克布尔诺附近拥有SiC外延片工厂，并在韩国的一家晶圆厂进行设备制造。转向沟槽结构允许在150毫米（6英寸）晶圆上构建更多器件，从而降低器件成本。该公司还有一个用于200毫米（8英寸）SiC晶圆生产的工程计划。

EliteSiC M3S器件针对800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和能源基础设施应用，例如EV充电、太阳能和储能系统。除此之外，还用于采用标准F2封装的低Rds(on)半桥功率集成模块 (PIM)。这些模块针对工业应用，非常适合DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换级。它们通过优化的直接键合铜设计提供更高级别的集成，以实现并联开关之间的平衡电流共享和热分布。PIM旨在为能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)提供高功率密度。

“安森美最新一代的汽车和工业EliteSiC M3S产品将使设计人员能够减少他们的应用足迹和系统冷却要求，”安森美高级副总裁兼高级电源部门总经理Asif Jakwani说。“这有助于设计人员开发具有更高效率和更高功率密度的大功率转换器。”

来源：eeNews

目前，半导体集成电路(IC)依靠先进制程突破实现性能迭代日渐减缓，封装形式的改进更多地受到业界关注。传统封装正在向以FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SIP等先进封装转型。先进封装有望成为后摩尔时代的主流方向。

先进封装具备制造成本低、功耗较小等优势，将带来产业链多环节的价值提升，以Chiplet（芯粒）技术为例，通过对芯片的解构与重构集成，重塑了从上游EDA、IP、设计至下游封装、材料的全环节价值链，为多个环节带来新的技术挑战与市场机遇。Yole数据显示，2021年全球封装市场规模约达777亿美元。其中，先进封装全球市场规模约350亿美元，预计到2026年先进封装的全球市场规模将达到475亿美元。

国内外封测龙头日月光、安靠、长电科技、通富微电、华天科技等布局Chiplet业务，英特尔、AMD、华为也积极参与。全球半导体封装材料的主要供应商包括日本信越化学、住友化工、德国巴斯夫、美国杜邦等公司，占据主要市场份额。随着中国Fab工厂陆续建成投运，且先进封装工艺对材料的要求不断提高，未来IC封装材料市场增长空间巨大。

半导体先进封装与材料论坛2023将于7月11-12日在苏州召开。会议由亚化咨询主办，将探讨中国集成电路与IC先进产业政策趋势，全球及中国IC先进封装市场现状与展望，半导体先进封装工艺与材料进展与展望，中国IC先进封装材料与技术、设备的供需情况、国产化现状及未来市场展望等。

会议主题

1. 中国集成电路与IC封测产业与市场政策趋势

2. 全球及中国集成电路与IC封装材料供需与展望

3. 中国先进封装在国际禁令背景下的突破方向

4. 海外先进封装工艺与材料进展与动向

5. 后摩尔定律与先进封装

6. 中国IC封装材料与技术、设备的国产化

7. 2.5D、3D扇出型封装技术的研发进展

8. 高端制程处理器封装挑战及解决方案

9. 下游产品的封装材料与技术分布

10. Chiplet技术进展与趋势

11. 未来封装与晶圆制造的整合趋势

12. 工业参观商务考察

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