电报 | 瞻芯电子推出新品；SemiQ 碳化硅器件被应用；NI收购德国设备厂商SET GmbH
来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2023-03-092134浏览
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近日，瞻芯电子正式推出2款650VTOLL封装的碳化硅(SiC) MOSFET产品，分别为650V40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。这两款产品采用TOLL(TO-leadless)封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰(EMI)，简化PCB 设计。
两款产品IV1Q06040L1 ，IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~ 175°C 工作温度范围。
▌LLNL选择 SemiQ 的碳化硅器件用于粒子加速器项目
近日，劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）已选择SemiQ为正在进行的粒子加速器项目提供碳化硅二极管。SemiQ 开发了采用 SMC 封装的顶部可焊接 1200V 10A 碳化硅二极管，可承受 15 倍额定电流的连续高电流脉冲操作。二极管用作缓冲电路和能量放电电路；在具有高封装密度的单个脉冲发生器板上并联 60 个器件。该加速器将使X射线图像可用于证明未经核试验的现代化核弹头的安全性、安保性和有效性。
▌NI宣布已通过现金收购德国设备厂商SET GmbH
近日，美国自动测试及量测系统厂商NI（NationalInstruments，国家仪器）宣布已通过现金收购德国设备厂商SET GmbH，目标是缩短关键的高度差异化解决方案的上市时间，并加速半导体到运输供应链与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等电力电子材料的融合。值得一提的是，NI曾经在2020年通过战略性少数股权投资入股了SET，目的是帮助航空航天国防公司解决飞涨的开发成本问题及整合相关的挑战。此次收购将扩大NI在汽车应用功率半导体可靠性系统方面的机会，这是一个高增长的投资领域。
▌百思特达半导体GaN外延片项目试生产
3月6日，据盘锦日报消息，辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2吋4吋外延片处于试生产和产品认证阶段，正式投产后，可实现月生产2500片的产能。据介绍，百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目，该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品。2019年11月，百思特达氮化镓项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。
参考来源：芯Tip、行家说三代半、semiconductor-today、everythingpe等网络
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