国内视点｜昕感科技连续完成两轮融资；晶盛机电发布6英寸双片式碳化硅外延设备；​清纯半导体研发基地正式启用

导 读

01 昕感科技获数亿元B系列融资

02 晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备

03 清纯半导体研发基地正式启用

01

碳化硅功率半导体企业「昕感科技」获数亿元B系列融资

近日，碳化硅（SiC）功率半导体企业昕感科技宣布连续完成B轮、B+轮两轮融资，金额数亿元人民币。本次融资由新潮集团及金浦新潮领投，安芯投资、耀途资本、达武创投、芯鑫租赁等机构共同参与，老股东蓝驰创投、万物资本持续加码。易凯资本在本次交易中担任了昕感科技的独家财务顾问。

据了解，融资资金将继续用于优化设计和工艺平台、强化产品技术壁垒，同时进一步扩大运营和开拓市场，打造国内领先的碳化硅功率器件芯片厂商。

昕感科技自2020年成立以来备受业界和资本市场关注，两年多时间连续完成数轮融资。2022年3月，昕感科技完成了超亿元A轮融资，资金将主要用于碳化硅产品开发和扩大运营。2021年5月，昕感科技已经完成了天使轮投资，投资方包括北汽产业投资等。

▲ 36Kr创投

昕感科技是一家SiC功率半导体产品研发商，主攻SiC功率器件芯片及模组产品研发。昕感科技的主要业务包括汽车电子设备技术开发、电子元器件生产等服务。SiC功率器件的主要应用包括光伏逆变器、电动汽车驱动电机和快速充电桩等。

昕感科技2022年推出了自主高性能和高可靠性SiC MOSFET产品并进行客户交样推广，与国内外主流竞品相比，昕感科技1200V 80mΩ SiC MOSFET产品具有开关损耗低40%、漏电低等显著竞争优势。

▲昕感科技1200V 80mΩ SiC MOSFET产品

▲昕感科技在建功率器件厂房效果图

2022年3月消息，昕感科技的碳化硅项目签约落户江苏省江阴高新区。据介绍，昕感科技项目总投资为20亿元，该项目一期投资10亿元，将建设碳化硅功率器件芯片及模组生产线。

2022年6月29日，江阴市霞客基金正式启动暨集成电路产业项目集中签约仪式在北京举行。活动现场，霞客基金正式启动，联和存储（江阴）项目、昕感科技6英寸碳化硅及硅功率器件芯片项目进行集中签约。

昕感科技将落地SiC和Si功率器件芯片项目，公司拥有全职国家级重点引进人才、SiC国际国内龙头企业资深高管、本土汽车行业成功创业者、清华集成电路学院多名博士毕业生和来自产业界一线、经验丰富的核心技术团队。开发系列产品应用领域覆盖新能源汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、工业电源、不间断电源、储能等新兴产业。

作为中国第三代半导体行业新锐，昕感科技坚定地选择了最具长期竞争力的IDM模式形成稳定产能，满足客户需求。相信昕感科技也将持续推动国内功率半导体和新能源关键技术的快速落地，成为中国第三代半导体领域的领军企业。

02

晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备

2月4日，晶盛机电新品——“6英寸双片式碳化硅外延设备”重磅发布。

据晶盛机电外延设备研究所所长刘毅博士对“6英寸双片式碳化硅外延设备”的介绍，该产品历时两年的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上，助力客户创造极大价值，为推动我国新能源产业发展贡献晶盛力量。

▲ 晶盛机电“6英寸双片式碳化硅外延设备”

晶盛机电董事长曹建伟博士表示，碳化硅全产业链从设备到工艺的创新，成本快速下降，产能快速扩张。晶盛机电持续以科技创新引领产品、工艺的迭代和突破，在先进制程及功率器件半导体装备领域，解决“卡脖子”难题，实现进口替代，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。

在8英寸碳化硅衬底片方面，晶盛经过一年的研发，成功生长出行业领先的8英寸N型碳化硅晶体，完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产，为实现我国在第三代半导体材料领域关键核心技术自主可控作出积极贡献。

今年1月12日，晶盛联合创新产业园项目大楼主体全面封顶。晶盛机电投资8亿元，在产业园建设12英寸集成电路大硅片设备测试实验线，预计2023年7月投入使用。

03

清纯半导体研发基地正式启用

2月3日，“复旦大学宁波研究院重大产业化项目-清纯半导体研发基地启用仪式”成功举办，标志着清纯半导体各项事业迈入发展新阶段。

据了解，清纯半导体研发基地总面积4600平米，建设四大实验平台：一楼建设器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台；三楼建设可靠性及应用平台；四楼建设器件测试及老化平台；实验室总规划面积超2500平米，配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，平台总投入近亿元，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力；完善的硬件设施及国际先进的实验设备时刻为公司的前沿创新、技术研发和产品质量保驾护航。

据清纯半导体董事长、复旦大学特聘教授张清纯介绍，自2021年3月成立的一年多来，清纯半导体便突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，产品性能达到国际领先水平，取得多项业内瞩目的成就。先后推出国内首款15V驱动SiC MOSFET及国内最低导通电阻SiC MOSFET，并通过AEC-Q101车规认证和更严苛的HV-H3TRB测试。2022年更是克服疫情的影响，实现产品研发和市场推广的突破，服务于多家终端客户。