中科院院士郝跃：未来10年氧化镓器件有望直接与碳化硅器件竞争

近日，中科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）成功被大会接收。

中国科学院院士郝跃表示，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。业内普遍认为，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。

公开资料显示，氧化镓拥有超宽带隙（4.2-4.9eV）、超高临界击穿场强（8MV/cm）、超强透明导电性等优异物理性能，导通特性约为碳化硅的10倍，理论击穿场强约为碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。

据NCT预测，到2030年氧化镓晶圆的市场将达到约590亿日元（约4.2亿美元）。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。

目前氧化镓单晶衬底供应方面，日本NCT公司占有全球90%以上的市场份额。国内看，我国研究氧化镓的机构和高校较多，也取得了很多研究成果，有望在应用场景和需求量逐渐明确之后，进行科技成果转移。

据不完全统计，今年以来多家上市公司纷纷在互动易上披露氧化镓相关业务研发情况，涉及公司包括中航机电、新湖中宝、中钢国际、蓝晓科技、南大广电、阿石创等，具体如下：

此外，中国西电子公司西电电力持股陕西半导体先导技术中心，该中心有进行氧化镓、金刚石半导体、石墨烯、AIN等化合物半导体、化合物集成电路等创新性科研成果的转化。

不过，值得注意的是，分析人士表示，目前约80%的研究机构朝着功率器件的方向努力。但由于氧化镓材料适用于高功率领域，这就意味着其下游应用不能从消费电子开始，而需要从工业领域、新能源汽车等领域缓慢导入，因此氧化镓下游应用还需时间。

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