【中国IC风云榜候选企业109】铟杰半导体：攻克磷化铟材料生产技术难点，加速国产化进程

【编者按】2023年度中国IC风云榜全新升级，首次与中国汽车报强强联手、通力合作，整合汽车产业链资源，本届年会进一步扩展赛道形成30大奖项，覆盖领域更广、产业触达程度更深、行业影响力更大。本次评委会由中国半导体投资联盟超100家会员单位和数百位行业CEO担任，奖项名单将于2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选：陕西铟杰半导体有限公司（以下简称：铟杰半导体）

【参选奖项】年度最具成长潜力奖、年度创业芯星奖

铟杰半导体成立于2020年6月，致力于高品质高纯化合物半导体材料的研究、开发和生产，主要产品为高纯磷化铟（InP）多晶材料。

磷化铟（InP）是由III族元素铟（In）和V族元素磷（P）化合而成的化合物半导体（III-V族）材料，与传统Si半导体材料相比，具有饱和电子漂移速度高、激发波长适宜光纤低损通信、工作温度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，其市场发展前景广阔，可被广泛应用于激光雷达、光模块器件、传感器件、高端射频器件等，对应的终端应用场景主要包括航空航天、5G通信、无人驾驶、可穿戴设备等。

掌握核心技术，突破磷化铟材料的国际垄断

磷化铟多晶材料是磷化铟产业链的根基，由于磷化铟合成技术壁垒较高，导致市场参与者较少，且均为国外厂商，主要供应商包括日本住友、美国AXT、英国IQE等，国内90%以上的磷化铟多晶材料都需要进口，国产替代需求强烈。

为突破磷化铟材料的国际垄断，2021年6月，铟杰半导体开始建设多晶磷化铟国产化项目一期工程，2021年12月，铟杰半导体磷化铟多晶材料产业化一期工程顺利完成，产能可达10吨/年。铟杰半导体生产的磷化铟多晶材料在载流子浓度、电子迁移率等方面的技术指标已达到了国际先进水平。

磷化铟（InP）多晶合成技术是铟杰半导体的核心技术，其主要有三个创新关键点:

一是：铟杰半导体生产的高纯磷化铟多晶材料单根晶棒重量可达8公斤，国际同类产品的常见重量则仅为4公斤左右；单位产率提高了一倍左右。

二是：产品纯度可达6N以上，达到了磷化铟材料的高纯标准，可完全满足后续相关产业的需求。

三是：载流子浓度和电子迁移率等电学参数达到了国际一流水准。

凭借卓越的核心技术，铟杰半导体的产品稳定性与一致性得到广泛认可。铟杰半导体的磷化铟多晶棒产品合格率始终保持在90%以上，远高于行业平均值（28%）；载流子浓度和电子迁移率参数在国家标准1级以上的始终稳定在60%以上，远高于行业平均值（50%）。

精英荟萃，攻克磷化铟生产技术难点

直面技术难点，不断突破创新。2020年6月，在半导体材料方面有丰富经验的黄小华先生创立了陕西铟杰半导体有限公司，凭借多年在长晶设备、核心热场、控制技术、长晶工艺的研发设计经验，攻克了磷化铟生产的技术难点，成功开发出拥有全套具有自主知识产权的设备、工艺和控制系统，实现了磷化铟多晶生长过程中关键的精密控温和自主压力平衡目标，具备了高度集成的自动化多晶生产能力。

需要说明的是：黄小华先生毕业于北京化工大学化学工程专业并取得硕士学位，自毕业以来，始终深耕于化工技术领域，聚焦于半导体材料的工艺研发和相关设备的开发，有数十年专业领域工程师经验，组织并亲自参与了多个重大反应器的研发工作，诸如PVC聚合反应器、湿法冶金反应器、多晶硅超级加热器以及系统集成度极高的砷化镓、碲化镉、氮化铝等晶体反应器的国产化工作。其中，多晶硅反应器等多个项目被列为上海市创新项目，累计给公司带来了超过10亿元的项目利润，且在职期间，申请专利40余项，其中发明专利10余项。

据介绍，正是在黄小华先生研发团队的努力下，使得铟杰半导体成为国内第一家实现批量生产磷化铟多晶材料的企业。

2022年，对于铟杰半导体也是收获颇多的一年，期间，铟杰半导体开发了用于国防科技等高性能应用的特级磷化铟多晶材料，开创性的开发了免洗颗粒状磷化铟多晶材料并投入市场，在技术不断突破的同时，铟杰半导体还先后取得了陕西省双创大赛二等奖、双创大赛新材料全国赛优秀企业奖，并顺利通过了第四批高新技术企业认证、知识产权贯标认证等。

【奖项申报入口】

2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在合肥举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与。

【年度最具成长潜力奖】

“年度最具成长潜力奖”面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。

【报名条件】

1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；
2、2022年主营业务收入为500万-1亿元的创业企业。

【评选标准】

评委会由“中国半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”。

【年度创业芯星奖】

星星之火，可以燎原。中国半导体的发展，离不开创业芯势力的参与。
“年度创业芯星奖“旨在表彰不惧挑战、敢想敢为，带领团队突破创新，用技术影响行业的优秀创业者。

【报名条件】

1、公司成立时间两年以内（以工商登记日期起算）；
2、创业团队有着良好的技术与产业背景，拥有核心技术与创新能力；
3、候选人需要是公司实控人或核心创始人；
4、深耕半导体某一细分领域，竞争优势明显，解决“卡脖子”的企业优先。

【评选标准】

1、团队完整性20%；
2、技术创新性30%；
3、产 品 进 度30%；
4、行业影响力20%。