格芯获美国联邦资金开发GaN芯片
来源:陈端武发布时间:2022-10-181493浏览
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图为GF晶圆厂内部。法新社
格芯(GlobalFoundries；GF)将获得3,000万美元的联邦基金，用于在佛蒙特州的晶圆厂开发和生产下一代氮化镓(GaN)芯片。
根据Fierce Electronics报导，GF将利用这笔3,000万美元资金购买工具和进一步开发8寸GaN晶圆制程。GFCEOThomas Caulfield表示，有可能获得更多2023年联邦预算援助。GF在成为GaN芯片制造的全球领导者方面处于有利地位。
GF与美国国防部合作，生产用于敏感的航空航太和国防系统的芯片。美国国防部的Trusted Access Program Office(TAPO)是用来确保资金安全的机构。TAPO的主要任务是为敏感武器系统采购先进芯片，TAPO支持民用和军用GaN作为高功率、高频设备的稳定半导体。
2022年8月，GF宣布延长与高通(Qualcomm)的长期协议，将为高通供应FinFET晶体管直至2028年。2022年7月，GF和意法半导体(STM)宣布在法国兴建12寸晶圆厂，结合GF的FDX技术和意法半导体的18纳米芯片路线图，用于汽车、工业、物联网和通信。
责任编辑：张兴民
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