博世美国首座芯片厂试产，获15亿元人民币资助

据路透社报道，德国博世位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的首座半导体工厂现已开始试生产。该工厂前身由TSI Semiconductors负责运营，博世在2023年将其收并购进行产线升级，将其打造为碳化硅（SiC）芯片制造中心，计划于年内实现商业化量产。这也是该企业首度在美国设立半导体生产基地。

为提升本土碳化硅芯片的制造水平，博世与美国商务部达成了2.25亿美元（约人民币15.27亿元）的资金支持协议，使得该项目的总投资额达到约20亿美元（约人民币135.77亿元）。这笔资金由美国商务部下属的芯片计划办公室提供，旨在落实《芯片与科学法案》，从而扩充美国本土的半导体产能并减少对海外供应链的依赖。美国商务部长霍华德·卢特尼克对此表示，此举有助于构建更为安全的本土供应链，保障关键产业的持续创新。

博世北美总裁兼首席执行官保罗·托马斯指出，地缘政治环境、关税政策以及《美墨加协定》等因素，是公司在美国扩大投资的重要考量。此前全球芯片短缺事件表明，汽车产业过度依赖单一地区的供应商存在较大隐患，整车厂越来越看重零部件供应商在周边市场稳定交货的能力。

在技术应用方面，碳化硅芯片主要用于高压电能转换，与传统硅基芯片相比，能够有效减少热能和电能损耗，提升电池到电机之间的传输效率，进而增加电动汽车的续航里程。除了纯电动汽车，该类芯片还广泛应用于混合动力汽车、国防装备、可再生能源、储能系统以及数据中心电源管理等领域。随着人工智能技术的进步，数据中心耗电量不断增加，高效功率半导体的市场需求也随之扩大。博世方面认为，多元化的应用场景将为碳化硅产能提供稳定的需求支撑。

此外，博世还计划在2031年之前，向美国市场追加最高75亿美元（约人民币509.12亿元）的投资，进一步拓展其在半导体、汽车零部件及先进制造等领域的业务布局。

注：按1美元≈6.79人民币计算