赴中投资禁令成紧箍咒 三星、SK海力士坐困国内

在此同时，韩国外交部长朴振日前访问国内，与国内外交部长王毅于9日在青岛会晤，中韩外长对谈聚焦美国积极拉拢筹组的四方芯片联盟相关议题，而朴振行前也已预告，将对此议题与中方协商、稳定管理供应链。

在中美双方从贸易战转向争霸战之际，面对美方接连祭出抗中半导体发展的连环计，从极紫外光(EUV)系统禁运等出口管制措施，到芯片法案受补贴业者设下赴中投资限制，再到拉拢筹组四方芯片联盟，种种掣肘，无不等同于是对在国内经营DRAM、NAND产线的SK海力士(SK Hynix)与三星电子(Samsung Electronics)等韩厂设下扩产紧箍咒。

韩方此番表态，在某种程度上也忧心韩厂在国内产线沦为中方手中谈判「人质」，重伤韩厂经济产业与韩国国家利益。金融时报(FT)日前更点名SK海力士国内DRAM无锡厂，顿成美芯片法冲击下韩厂最脆弱罩门，而非三星NAND西安厂。

究竟韩厂在国内DRAM与NAND先进制程量产推进布局，现阶段情况为何？未来在美方设备禁运、投资设限等紧箍咒下，国内产线与韩国本土产线之间的投产成本效益差异，以及韩厂与美系存储器美光(Micron)、中方存储器长江存储、长鑫存储之间的竞争力优劣势比较，以下将一一点出。

海力士国内厂原地踏步 1a纳米、EUV难上难

抢先三星电子在2021年7月起导入EUV曝光、量产1a纳米DRAM的SK海力士，面临在国内无锡厂推进先进制程困坐愁城，进不了、退不得的难题。积极跟进美光(Micron)在2021年第1季领先全球量产1a纳米(14纳米)DRAM，SK海力士在同年夏天起，在韩国产线M16厂快速采用EUV制程量产1a纳米DRAM。

美光与SK海力士向三星呛声意味不言可喻，三星直到2021年10月才正式宣布量产第四代10纳米级1a纳米EUV制程16Gb DDR5。问题在于，一开始在韩国基地M16厂练兵的SK海力士DRAM量产，于2021年11月间计划升级国内无锡厂产线时，面临到美国拜登(Joe Biden)政府持续施压荷兰政府、阻碍ASML向国内出货EUV系统的先进制程设备禁售令。

此举起初虽锁定陆厂中芯国际向下推进7纳米以下制程而来，但现今却使得SK海力士无锡厂，计划进口EUV系统、升级国内DRAM产线的计划胎死腹中，只能停留在1z纳米(15纳米)量产DRAM。其实美方也清楚EUV禁运将损及韩厂产线先进制程升级，但美方的底线则是绝不愿让EUV系统落入中厂手中。

海力士韩国厂1a纳米量产已1年 良率爬升助攻获利

检视SK海力士近一年来法说会上关于1a纳米DRAM量产推进，在M16产线历经最初6个月练兵后，良率开出逐步稳健。即便无法在国内厂导入升级量产1a纳米，但在韩国厂的良率改善自2022年以来，更显进展。

尤其在2022年4~6月需求不振期间，1a纳米良率爬升助攻了SK海力士在DRAM市场不景气时期实现获利，一言以蔽之，1a纳米量产DRAM成本效益功不可没。

相对地，贡献SK海力士DRAM产能一半的国内厂，现阶段仍被迫停留在1z纳米量产，开出的良率虽超越1a纳米制程，但官方表示，导入EUV曝光制程、量产1a纳米DRAM，不仅可以强化制程稳定，相较于前一时代1z纳米，更可望在12寸晶圆产出增加25%以上的晶粒。

值得注意的是，SK海力士已于7月下旬正式宣布因应存储器需求不振，「无限期延宕」原订在韩国清州M17产线扩产计划，日经(Nikkei Asia)引述公司高层看法，认为存储器市场需求不振，恐将延续1~2年，因此才叫停原订在2023年动土、2025年量产的M17。

但这也意味着，在存储器景气下行之际，SK海力士不打算采取在韩国大规模扩产，或将以设备升级等方式，降低生产成本。那么，无锡厂又该如何？

韩方主张不应禁设备出口国内 美方可愿意？

韩媒报导引述韩国官员主张，进入Chip4的条件之一，在于不应禁止对国内设备出口，这项主张，看在ASML与韩厂眼中，虽可双赢，但问题在于美国政府能不能接受？尤其美系设备供应商位居掌握下游制造商制程推进、设备升级的关键，美方更是以此优势箝制亲美的半导体产业链重组，韩厂又将如何抉择？

以现阶段拜登与美国国会两党祭出不分党派、一致性的芯片法案与出口管制等手段，EUV禁售国内令，由于掌握着先进制程推进的关键，取消禁售的可能，几乎微乎其微，这也意味着SK海力士无锡厂企图向EUV制程迈进的时程，恐怕只能无限期延后，静待中美对抗态势演变后续发展。

至于拜登政府研拟输中深紫外光(DUV)曝光机禁售令，虽然ASML已经证实美国政府与其接洽，至今只有美系设备供应商表态商务部要求他们不得出货14纳米以下设备输中，这虽代表着DUV禁售令的前奏曲，但包括SK海力士在内仍未传出国内产线取得DUV曝光机受阻。

问题在于，近来在华尔街日报(WSJ)大肆报导中芯国际舵手梁孟松主导推进7纳米量产的外电甚嚣尘上，是否加速白宫制裁国内14纳米以下制程设备包括DUV设备禁运？美国政府这一杀手锏若当真出招，除了中芯国际、华虹半导体等陆厂，SK海力士、三星也将连带受到冲击。

韩厂国内产线升级受阻 美、中厂获益？

SK海力士国内无锡厂1z纳米DRAM困坐愁城，进退维谷，对比长鑫存储推进到19/17纳米、美光14纳米量产，由于长鑫存储现阶段仍在DRAM量产初期，短时间内也不需要导入EUV曝光，但美光在台湾基地量产1a纳米DRAM，在封装处理后，进入国内市场与SK海力士DRAM竞争，一定程度上存在着成本优势。

同样的成本优势，也存在三星在韩国产线量产1a 纳米制程DRAM，向国内市场输出的条件，然相较于美光，三星本身的1a纳米产能良率仍未稳定，尽管光是从先进制程取得的成本效益来看，美光虽优于三星，但进入国内市场，美系存储器业者是否未来将遭受中方技术性刁难？成为中美对抗下的另一受害者？仍须观察后续。

早已超前三星约1年量产1a(14纳米)的美光，日前证实1β DRAM可望在2022年底前量产，进入良率提升(yield ramp)阶段，目标锁定2023年起商业化放量生产。相较于三星1b纳米开发进程仍未知，以及SK海力士近半DRAM产能被锁定国内无法升级。虽说在景气下行之际，成本优势可望助攻维持获利，但美光经营国内市场与韩厂竞争，恐怕除了市场经济逻辑外，还要面临中方态度。

至于三星位于西安NAND产线，目前已经导入128层量产，其与长江存储业已稳定量产128层NAND时代，是否将受到美国政府传出禁止输中128层以上设备波及，仍须观察拜登何时拍板对于NAND设备出口管制细节出炉。

在此同时，由于三星明确宣示赴美大规模投资，并计划申领美国芯片法案补贴，届时国内西安厂NAND扩产升级计划，不仅受到美国制裁陆厂的殃及池鱼，也直接受控于芯片法案赴中投资的限制，至于美国商务部届时是否将投资设限，界定在「许可」128层(含)以下NAND扩产、服务国内市场需求，仍须由商务部长一槌定音。