大摩：受库存调整等影响，三季度存储芯片下跌幅度比预期严重

外资机构摩根斯坦利示警，存储芯片价格加速下跌，第三季所有产品跌幅将比预期严重。

大摩最新报告指出，由于库存调整等影响，包括DRAM、NAND Flash、Nor Flash等产品，第三季价格修正幅度超过一周前外界的预期。

报告指出，预计NAND第三季将比第二季下滑5%-10%，利基型DRAM下滑8%-13%。另外，中国大陆的半导体本土化是长期趋势，大陆的DRAM/NAND的产量将持续增加。