三大因素牵动DRAM ASP跌幅 南亚科新厂投片延至2025

供应链长短料原可望於2022年下半缓解改善，DRAM现货价格也从年初逐步回升，但俄乌情势发展、通膨与国内封城等因素均影响市场变量升高，导致DRAM价格需逐月观察，牵动5~6月及下半年价格走势，至於南亚科新厂将延後量产，预期供给位元成长的瓶颈将延後至2025年打开。

南亚科总经理李培瑛表示，虽然第2季云端服务器市况续强，但手机及消费性PC市场需求趋缓，整体可见度并不清楚，相较於2022年第1季DRAM平均价格下滑中个位数字百分比，预计第2季的位元出货量估与第1季相近，可能小量增加。

价格方面，由於上游DRAM供应商库存相对健康，近年来资本支出及扩产均维持理性，预期第2季价格跌幅可望缩小至低个位数百分比，不过5~6月市况是否变得更差，就要观察战事、通膨及疫情等三大因素发展。

近来上海、昆山等疫情扩大采取封城措施，李培瑛认为，主要影响在於生产链及物流不顺畅，需观察至4月下半才可望较为明朗。尽管近日部分区域逐步解封，但有些可能封城延长至18 日，尤其以上海周遭较严重。短期内看到有些客户进行交运点或生产基地转换，例如改至重庆或泰国等，由於大家都有解封压力，预期封城不太可能持续很久。

至於俄乌战争，李培瑛表示，对南亚科销售比重没有太大影响，但战争确实将引发全球通膨升高，物流运输变量增加，并导致消费型NB需求趋缓，不过目前云端服务器、电竞及商务PC需求强劲，且通讯、智能家用、智能穿戴等需求热络，惟车用供应仍受到元件短缺影响。

从产品线来看，DDR3经过近2个季度价格调整，目前消费型应用网通需求仍强，TV应用比较弱，DDR4现货价格持续调动中，南亚科将藉由产品多元性达到价格稳定，2022年第1季的DDR3比重持续提高，约达6成，DDR4及低功率产品占比约4成，预期未来消费性电子比重将达6~7成左右。

在新制程技术发展上，南亚科10纳米级的第一个和第二个时代进展均顺利且符合预期，预计2022年下半将进行第一时代的工程产品验证，包括DDR4和DDR5，其中，DDR5已在工程样品验证阶段，预期10纳米级产品在2022年度的比重不到1成，但从年底或2023年初的投片产出贡献将可望达到10%。

南亚科先前规划投入新台币3,000亿元兴建双层无尘室12寸DRAM厂，原预计2021年底动土，不过李培瑛表示，受到建照审核时程较预期延迟2~3季，加上市场缺工缺料等因素影响，预计2022年上半将有机会拿到建照，营建成本可能将增加，整体成本是否增加仍需规划及调整。

投产时间将从原本预期的2024年延後至2025年量产，在未来3年内，包括30纳米或部分20纳米转到10纳米部分20纳米转到10纳米，预计将在2025年前逐步发生，故位元产出将会小幅成长。