DRV8353F是具有 3x CSA 的最大 102V 三相功能安全质量管理智能栅极驱动器

产品详情

描述：

DRV835xF 系列器件是ADM823LYRJZ-R7高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机应用。器件变体提供可选的集成分流放大器以支持不同的电机控制方案。

DRV835xF 使用智能栅极驱动 (SGD) 架构来减少 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需的外部组件数量。 SGD 架构还优化了死区时间以防止直通条件，通过 MOSFET 转换速率控制提供降低电磁干扰 (EMI) 的灵活性，并通过 VGS 监视器防止栅极短路条件。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件 支持各种 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和独立），以实现与外部控制器的简单接口。这些模式可以减少控制器对电机驱动器 PWM 控制信号所需的输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式，可通过使用内部模块换向表对 BLDC 电机进行简单的传感梯形控制。

特性：

●9 至 100V、三重半桥栅极驱动器

—可选的三重低侧分流放大器

●功能安全质量管理

—可用于帮助 IEC 61800-5-2 功能安全系统设计的文档

●智能栅极驱动架构

—用于 EMI 性能的可调压摆率控制

—V GS握手和最小死区时间插入以防止直通

—50mA至 1A 峰值源电流

—100mA至 2A 峰值灌电流

—通过强下拉来缓解 dV/dt

●集成栅极驱动器电源

—高边倍增电荷泵 用于 100% PWM 占空比控制

—低边线性稳压器

●集成三重分流放大器

—可调增益（5、10、20、40 V/V）

—双向或单向支持

●6x、3x、1x 和独立 PWM 模式

—支持 120° 有感操作

●SPI或硬件接口可用

●低功耗睡眠模式（V VM = 48V 时为20 μA ）

●集成保护功能

—VM 欠压锁定 (UVLO)

—栅极驱动电源欠压 (GDUV)

—MOSFET V DS过流保护 (OCP)

—MOSFET 直通预防

—栅极驱动器故障 (GDF)

—热警告和关机 (OTW/OTSD)

—故障状态指示器 (nFAULT)

参数：

控制方式：外部控制，梯形控制

建筑学：栅极驱动器

控制界面：6xPWM、3xPWM、1xPWM

栅极驱动 (A)：1

Vs (最小值) (V)：9

与 ABS（最大）（V）：102

特征：电流检测放大器、硬件管理 I/F、SPI/I2C、智能栅极驱动

工作温度范围 (℃)：-40 到 125

TI 功能安全类别：功能安全质量管理