氮化镓元件将扩展功率半导体应用市场

  根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来 自英飞凌(Infineon)/国际整流器(International Rectifier；IR)等大型厂商的竞争或并购压力。

 Yole估计，2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间，这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。

 

  目前销售GaN功率元件的主要半导体业者包括英飞凌/IR、宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion；EPC)、GaN Systems与Transphorm等公司。

 

各大功率半导体业者的不同GaN功率电晶体专利

（来源：Yole）

 

   然而，这一市场也存在整并压力，这一点从英飞凌收购IR、英飞凌与松下(Panasonic)之间以及Transphorm与Furukawa之间的授权协 议，以及Transphorm与富士通(Fujitsu)之间的制造合作即可看出端倪。Furukawa Electric

 

   根据与 Yole共同分析GaN功率半导体市场的KnowMade公司执行长Nicolas Baron表示，英飞凌/IR拥有最佳的GaN功率专利组合，而其最大的竞争对手则是Transphorm。然而，这个IP的主导地位可能会有变化，因为 像Transphorm、富士通与三菱电机(Mitsubishi Electric)等新加入市场的后进者，也可能成为主要的力量，从而改写市场样貌。Furukawa Electric藉着将其GaN专利产品组合独家授权给Transphorm，也拥有了得以为其将技术导入市场的策略合作夥伴。

 

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