两岸半导体产业刮起一阵自研存储器技术的旋风，大陆三大存储器阵营紫光集团的长江存储、联电晋华、合肥睿力分别投入3DNAND和DRAM自主开发，旨于打破国际大厂主宰的局面，台湾南亚科技日前透露，除了有权向美光(Micron)技转1x和1y技术外，也将自己研发10纳米世代的DRAM技术，总经理李培瑛指出，欢迎各方阵营一起合作开发，但依目前情势，对象可能不包括陆资业者。

过去动不动赚一年就大赔三年的DRAM产业，不但已经摆脱剧烈的产业景气循环，现在更因为长期缺货而变成战略物资，鸿海集团董事长郭台铭都因今年起采购DRAM成本大幅攀高，兴起自己掌握存储器货源的念头，更是积极投入抢标东芝的TMC(ToshibaMemoryCorporation)，而大陆更视DRAM和NANDFlash为国家型的战略物资，疯狂投入技术和产能布局，为的就是要摆脱韩国供应商的钳制。

全球DRAM产业维持三大(三星、SK海力士、美光)、一中(南亚科)、二小(力晶、华邦)的格局，但仔细观之，韩国供应商几乎包办了该产业，现在产业看到明年都是供给吃紧，也引发各阵营重新进行策略布局。

当大家都将焦点放在大陆自建存储器供应链的同时，台湾还有两家关键少数的供应商近期动作频频，企图扩大DRAM布局实力。南亚科透露，已经投入转进20纳米制程世代，为了布局下一世代技术以期让企业永续经营，将会朝两方面布局，一是手上握有向美光技转1x和1y技术的权利，同时也会自己研发10纳米世代的DRAM技术。

李培瑛指出，南亚科目前在台湾和美国都有研发团队，台湾研发团队上百人，美国研发团队有60人左右，未来会视10纳米世代研发的布局规划来整合资源，且南亚科对于共同研发、生产采开放式的态度，不排除以策略合作方式与其他业者共同研发10纳米世代，但若谈及与陆厂或陆资合作，这部分暂时不在考虑范围之内。

业界分析，要研发10纳米世代的技术，至少需要上百亿元的资金，南亚科若是有自主开发的意愿，重启策略联盟是必走之路，这还不包括建置12吋厂成本，估计10万片产能需要100亿美元，相当于新台币3,000亿元的资金。

另一家台系存储器代工厂力晶在DRAM策略上也有新布局，过去在营运困顿时，力晶将旗下的12吋晶圆厂机台卖给存储器模组大厂金士顿(Kingston)，产能约2万片，但双方合约将于2017年9月到期，力晶计划将原始的机台设备买回，且重新议价代工合约，传出力晶仅愿意释出1万片的代工产能，另外1万片产能想收回来自己灵活运用。

不只是南亚科、力晶在DRAM布局上转为积极灵活，快闪存储器(Flash)相关业者旺宏、华邦今年以来享受NORFlash和SLC型NANDFlash大缺货的价格涨幅，也都有建立新12吋晶圆厂，以及重新调整生产线的布局，全面在存储器领域大显身手!

对照对岸的进度，紫光集团旗下的长江存储因应国家政策，暂时避开DRAM自主开发，专注在3DNAND技术研发上，一口气圈下武汉、南京的12吋晶圆厂用地;联电的晋华则是组织百人团队朝3x和2x技术的DRAM自主开发，晋华的12吋晶圆厂在2018年下半完工后，要开始进入生产阶段。

再者，合肥的睿力集成电路12吋厂几乎完工，预计年底搬入设备，2018年上半进入生产，传出切入19纳米制程技术生产。由于大陆三大存储器阵营在盖厂、技术研发、人员招募上都是紧锣密鼓且正面交锋，引此吸引众多眼球关注。