据韩媒及美媒报道，中国制造商的DRAM晶圆产能在全球的占比已从2022年的4%大幅跃升至2024年的11%，并预计将在2025年底达到16%。

中国存储器公司的扩张策略对全球DRAM市场产生了多重影响。首先，从供应层面看，中国公司的加入加剧了市场竞争，导致低阶芯片价格开始下跌。尽管高阶芯片价格仍具弹性，但整体市场趋势已显示出疲软迹象。这直接反映在内存芯片制造商的股价上，三星、SK海力士和美光等公司的股价均较今年高点有所回落。

其次，中国公司的扩张对全球内存芯片制造商的盈利能力构成了潜在威胁。随着中国市场份额的逐渐增加，中国智能手机制造商等中资企业出于“爱国动机”，更倾向于使用国产内存芯片。这可能导致韩国和美国竞争对手在中国市场的份额受到挤压，进而影响到其全球业务。

然而，尽管中国存储器公司扩张迅速，但其在技术和良率方面仍存在差距。据产业研究机构数据，中国制造商的存储器位元密度仅为先进对手的55%，且良率较低。这意味着即使产能大幅提高，也不一定能等量产出有用的芯片。因此，中国公司在短期内还难以对全球DRAM市场形成实质性冲击。

但值得注意的是，中国存储器公司的进步速度可能超乎预期。随着大量资金投入和技术积累，中国制造商的技术水平正在逐步提升。同时，西方对高阶与AI芯片技术的出口管制也可能促使中国制造商加速转向下一代芯片研发，从而缩短与全球领先企业的技术差距。