英诺赛科近期推出了一款20W氮化镓的PD快充参考方案，这也是目前所见到的最小功率的氮化镓方案。这款参考方案比较独特，通常都是在初级侧使用氮化镓器件，而这款20W氮化镓参考设计在次级同步整流使用了英诺赛科自主开发的低压InnoGaN器件 INN100L12。
英诺赛科的INN100L12是一款已经量产商用的GaN同步整流管，为降低适配器次级侧同步整流驱动损耗，提高工作频率，带来了新的选择。
除了低压氮化镓外，英诺赛科650V高压氮化镓FET也早就已经量产，并在众多产品中有着广泛应用，是目前市面上唯一一家可以为客户提供All GaN快充解决方案的供应商。
一、英诺赛科推出20W氮化镓参考设计
英诺赛科20W氮化镓参考设计初级采用两颗电解电容滤波，次级采用固态电容，680μF16V，永铭VPX系列，协议小板垂直焊接。
参考设计左侧是输出的同步整流电路，南芯SC3503同步整流控制器芯片右侧为英诺赛科 INN100L12，仅为同步整流控制器2/3面积；同时初级控制器也是来自南芯，型号SC3001B。
20W氮化镓参考设计长约37mm。
20W氮化镓参考设计宽约22mm。
这套20W氮化镓参考设计高约20mm。
和苹果20W PD适配器对比，约为一半体积。
二、20W氮化镓快充核心芯片自主可控
南芯SC3001B是一颗用于USB-PD的高性能反激PWM控制器，支持突发模式和失效模式，自适应的环路补偿，具有完善的保护功能，支持CCM/QR/DCM。
南芯SC3001B 采用SOT23封装，适用于USB-PD和QC快充。
南芯SC3503自适应开通检测和快速关断同步整流控制器，无需辅助线圈供电，输出电压最低可低至0V，专利的自适应开通检测电路避免同步整流管误开通，兼容多种MOS，具有超低的静态电流，支持多种工作模式，支持高侧和低侧同步整流，外围元件非常精简。
南芯SC3503 采用SOT23封装，适用于宽范围反激适配器应用。
这款20W氮化镓适配器的次级同步整流管采用英诺赛科 INN100L12，100V耐压的增强型GaN开关管。英诺赛科的氮化镓器件支持超高的开关频率，超低导阻，无反向恢复损耗，快速且可控制的上升和下降时间，采用超薄和高可靠性的倒装LGA封装，同时具有开尔文采样源极，可减少寄生参数，获得更精准的控制，提高效率。LGA封装大面积的源极与漏极有助于导热，配合PCB导热设计，可做到无需辅助散热。
英诺赛科 INN100L12采用1.9*2.9mm FCLGA倒装封装，相比DFN5*6封装的同步整流管，不仅体积优势明显，工作频率更高，其优化的走线更加方便高频大电流走线。适用于同步整流，数字功放，包络跟踪供电和高频DC-DC转换器。相比传统Si MOS，均可降低驱动损耗，和反向恢复损耗，提高工作频率，提升功率密度，是传统Si MOS的理想替代品。
协议芯片采用慧能泰HUSB339B，已经获得USB PD3.0认证，应用广泛。
充电头网总结
英诺赛科20W氮化镓快充参考设计通过低压InnoGaN器件替代次级传统Si MOS同步整流管，可降低低压侧同步整流驱动损耗，提高开关频率至500KHz以上，有效降低同步整流驱动器发热，从而大幅度缩小适配器体积，推高功率密度。
同时这款20W参考方案真正做到了全部方案自主可控，协议IC与初次级控制器均来自国内厂商。
通过这款参考设计，我们看到氮化镓充电器的核心芯片：氮化镓控制器，氮化镓功率器件，快充协议芯片均实现了全面国产，核心器件的全面国产化，有助于降低氮化镓快充的成本并推动氮化镓快充普及。
