华虹宏力技术论坛首次登陆美国，现场吸引众多重要产业人士莅临，活动相当圆满成功。

全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号：1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(华虹宏力)2016年度技术论坛在美国圆满落幕，这是华虹宏力新设合并后首次在海外举办技术论坛。

在技术论坛上，华虹宏力展示了其物联网(IoT)时代下的先进制造技术以及全方位的绿色智能代工解决方案，吸引了来自美国各地的诸多半导体晶片设计公司、技术合作夥伴与设备材料工具供应商等参与交流。 

本次论坛围绕智能物联，绿色创“芯”主题展开，由华虹宏力北美及日本销售副总裁林宏哲博士主持。首先，华虹宏力执行副总裁范恒先生致欢迎辞，并简要回顾了公司发展历程和取得的成绩。他说，华虹宏力坚持立足于差异化工艺技术的持续创新，积极开发新项目新技术，不断完善和优化现有工艺平台，在嵌入式非易失性存储器技术、功率器件以及电源管理技术等领域位居世界领先地位。

公司自成立以来，持续致力于海内外市场拓展，业绩大幅度提升。2016年第3季度，销售收入达1.853亿美元，再创历史新高。他感谢所有客户和合作夥伴长期以来对华虹宏力的信任和支持，表示今后华虹宏力将持续创新，为全球客户制造“芯”梦想，使人们的生活变得更加美好。

华虹宏力战略、市场与发展部部长胡湘俊先生向客户介绍了公司业务发展现状，并描绘了公司技术蓝图。他表示，华虹宏力在上海营运3座200mm晶圆厂，目前月产能总计达15.3万片。持续进行的产能扩充已显现成效，预期将在可预见市场获得更多的发展机遇。

华虹宏力将继续提高在不同技术层面的整合能力，尤其是对低功耗嵌入式闪存技术和低成本CMOS射频技术的整合。华虹宏力还将持续减小存储单元及IP模块的面积，进一步优化先进的差异化技术，为不同客户提供高效能、具成本效益的增值解决方案。

华虹宏力技术团队在技术论坛上发表了各类专题研讨，与合作夥伴们分享交流，包括华虹宏力目前的嵌入式闪存技术、BCD和功率器件技术、Si-Based射频技术、汽车电子等特色工艺技术的最新成果。华虹宏力在嵌入式非易失性存储器技术方面又有新的突破，90纳米eFlash/eEEPROM技术已实现风险量产。

由于适用于高效、高速电力转换应用的超级结MOSFET(SJNFET)市场需求强劲，华虹宏力SJNFET工艺平台的付运量与日俱增，累计超过160,000片晶圆。华虹宏力是大陆唯一一间拥有全套IGBT背面制程技术的晶圆代工厂，可就低电压至高电压绿色能源应用提供完整解决方案，并根据客户需求订制不同电力装置。