Canon自2014年起研发的纳米压印微影技术，于2023年成功推出半导体制造设备。该设备名为“FPA-1200NZ2C”，可绘制5纳米芯片制程所需的最小线宽电路图案，接近ASML极紫外光（EUV）曝光机的性能，但耗能仅为其10%。

近期，Canon首次公布这款设备的出货对象——美国德州的半导体联盟Texas Institute for Electronics（TIE）。TIE将利用该设备进行先进半导体的研发和试作品制造。

TIE由美国德州大学奥斯汀分校支持，成员包括州政府、半导体企业及国立研究所等，提供开放使用的半导体研发与试作设备。

Canon这款设备结构简单，能一次压印完成复杂的3D电路图案，与NAND Flash厂铠侠及大日本印刷公司合作开发。Canon目标是在3~5年内，每年销售十数台这款设备。

然而，纳米压印技术的全面普及仍面临挑战，如去除微粒污染和提升适合该技术的材料开发。Fujifilm Electronic Materials已开始生产纳米压印光阻剂，并出货给Canon。