生产三星电子(Samsung Electronics)次世代3D V-NAND的大陆西安厂于5月9日正式启动，而三星半导体事业在全球生产基地的版图上，也随着南韩器兴厂以及华城厂、美国奥斯汀厂、大陆西安厂的启动，正式完成了黄金三角的布局。除了强化三星电子在记忆体半导体的龙头地位外，更计划积极扩大在系统半导体的市占。 

根据eDaily报导指出，三星于9日举办大陆西安NAND Flash的竣工仪式，并正式的投入量产。据悉，竣工仪式上除了三星副会长权五铉和记忆体事业部社长金奇南等外，西安市市长等当地人士也皆到场参与。 

  

大陆西安厂的人力规模约为2,000余名，计画在2015年将增加到2,500名。除此之外，若再加上三星SDS研究所人力400名，以及现在正在进行建设工程的后段制程工厂人力的话，人力规模将会超过3,000名以上。而后段制程工厂，预计2015年上半左右进入稼动。 

  

随着西安厂的竣工，西安厂也成为三星NAND Flash事业的核心基地。同时，三星电子也得以加速抢攻占据全球NAND Flash消耗量一半以上的大陆市场。 

  

报导引用市调资料指出，全球NAND Flash市场规模将从2014年的268亿美元，成长到2016年的280亿美元。也因此，随着三星电子开始正式的量产V-NAND，在V-NAND普及化上，将可能扮演冲锋陷阵的角色。 

  

而大陆西安厂的正式启动，也代表着三星半导体事业在南韩、大陆与美国的生产黄金三角布局大致底定。在南韩，器兴厂与华城厂各负责生产系统半导体与记忆体半导体。目前器兴厂有9个，华城厂有6个产线正在稼动中。美国奥斯汀厂则有两个产线在生产系统半导体。 

  

透过多个生产基地，除了出货量能更加扩大外，还可以生产配合当地需求的产品。这也将帮助三星电子能更加巩固在记忆体半导体的地位，2013年三星以33.1%市占率压倒性地拿下业界第一。 

  

除此之外，三星电子更计划要扩大在由英特尔(Intel)主导的系统半导体市场，三星在2013年的市占率以4.9%，输给英特尔的20.3%、高通(Qualcomm)的5.8%，与德州仪器(TI)的5.1%，位居第四。报导称，三星系统半导体部门业绩已逐渐好转，将有望在2014年打倒德仪拿下三哥头衔。 

  

为此，三星电子2013年在奥斯汀厂增加了39亿美元的投资，并决定增加系统半导体的产线。三星相关人士指出，只要系统半导体的业绩能改善，三星将有望拿下整体半导体市场第一。 

  

另一方面，三星电子对大陆西安厂的最终投资额高达100亿美元，可说是三星最大手笔的海外投资，当初三星原本规划这项投资的金额为70亿美元，后来又追加30亿美元，相当于三星2013年净利的3分之1。以12吋晶圆为基准来看，西安厂最大产能为每月10.0万~12.5万片。